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基于SIC的電子融合與傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲

出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2025-02-21 16:15:03

  傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲是一種單使用設(shè)備,需要在清除故障后更換。因此,指定保險(xiǎn)絲僅在持續(xù)的高電流下吹。這可以保護(hù)系統(tǒng)中的布線,但不能保護(hù)敏感的負(fù)載,并且可能導(dǎo)致系統(tǒng)級(jí)的停機(jī)時(shí)間。隨著時(shí)間的流逝,融合會(huì)降解,這顯著影響其性能;例如,保險(xiǎn)絲變得更加敏感,增加了令人討厭的旅行的風(fēng)險(xiǎn),或者它們變得不太敏感,需要更高的電流才能行駛。可維修性的設(shè)計(jì)在具有保險(xiǎn)絲的系統(tǒng)中很重要,因?yàn)樗鼈兪强筛鼡Q設(shè)備。從服務(wù)的角度來(lái)看,對(duì)保險(xiǎn)絲的可訪問(wèn)性至關(guān)重要,但對(duì)系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性產(chǎn)生不利影響。在受保護(hù)的電路和保險(xiǎn)絲箱之間需要保險(xiǎn)絲,保險(xiǎn)絲支架和其他接線。該隔室通常包括面板,緊固件和墊圈以進(jìn)行環(huán)境保護(hù)。在高壓系統(tǒng)中,通常在打開(kāi)保險(xiǎn)絲面板時(shí)實(shí)現(xiàn)互鎖循環(huán)以使系統(tǒng)斷電。這些額外的組成部分可實(shí)現(xiàn)可用性,每個(gè)組件都代表了失敗的機(jī)會(huì),進(jìn)一步降低了壽命。此外,在高壓系統(tǒng)中,保險(xiǎn)絲只能由訓(xùn)練有素的合格人員代替。
  同樣,繼電器或接觸器將功率進(jìn)料控制到負(fù)載。即使在高電流下,繼電器的觸點(diǎn)也有少量的電壓下降,但是當(dāng)切換到電容載荷和中斷電感電流時(shí),它會(huì)遭受降解。由繼電器和電動(dòng)電阻器組成的預(yù)校電路通常用于為下游電容器充電到系統(tǒng)電壓的20V以?xún)?nèi)。這可以防止激活后接種或接觸器接觸焊接關(guān)閉,并弄濕觸點(diǎn)以地減少氧化,否則會(huì)導(dǎo)致更高的電阻和功率消散。盡管如此,觸點(diǎn)仍會(huì)隨著每種激活而經(jīng)歷降解,這是降低其壽命的長(zhǎng)期磨損機(jī)制之一。許多使用接觸器或帶有電容載荷的接力的DC分配系統(tǒng)包括輸入和輸出處的高精度電壓測(cè)量電路,以確保滿足電壓差分條件。電壓測(cè)量的誤差越大,整個(gè)觸點(diǎn)的電勢(shì)差異越高,終降低其壽命的進(jìn)一步降解。當(dāng)繼電器或接觸器關(guān)閉時(shí),觸點(diǎn)會(huì)分開(kāi),形成輸入和輸出電路之間的氣隙。但是,這并不意味著它們沒(méi)有電連接。在許多情況下,當(dāng)繼電器打開(kāi)時(shí),電流繼續(xù)在短暫的持續(xù)時(shí)間內(nèi)通過(guò)圍繞氣隙進(jìn)行短暫流動(dòng)。
  高壓電子裝配的系統(tǒng)級(jí)益處
  保險(xiǎn)絲的不準(zhǔn)確性,性使用的限制以及接力和接觸器缺乏堅(jiān)固性,這是設(shè)計(jì)師轉(zhuǎn)向電子解決方案(例如E-Fuse)的一些原因。很多時(shí)候,可靠性目標(biāo)是主要原因。提高的準(zhǔn)確性,集成,功能,可重復(fù)性和系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間是電子融合的好處。但是,主要驅(qū)動(dòng)力是大大提高系統(tǒng)可靠性的機(jī)會(huì)。

  電子裝備是可控且可配置的固態(tài)電路中斷設(shè)備。在400 V和800 V系統(tǒng)中,碳化硅(SIC)是的功率半導(dǎo)體技術(shù),因?yàn)槠涓叻纸怆妷侯~定值,狀態(tài)電阻較低和高熱電導(dǎo)率。電子裝配可以是單向半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),該開(kāi)關(guān)將電壓和電流沿一個(gè)方向阻塞和電流,也可以在兩個(gè)方向上阻斷電壓和電流的雙向開(kāi)關(guān)(例如,源到源到負(fù)載和負(fù)載到源)。電子融合結(jié)合了保險(xiǎn)絲和機(jī)電繼電器的功能,可能包括其他功能,例如負(fù)載電流,這消除了系統(tǒng)中對(duì)獨(dú)立電流傳感器的需求。

  圖1。 微芯片的電子裝配技術(shù)演示器。圖像由Bodo的Power Systems  [PDF]提供如圖1所示,在基于微芯片SIC的電子配合演示器中實(shí)現(xiàn)的快速響應(yīng)時(shí)間將短路電流限制為僅數(shù)百個(gè)安培。使用寬帶寬度的電流傳感電路并使用默認(rèn)設(shè)置,它檢測(cè)到700納秒以下的短路,并根據(jù)系統(tǒng)電感的不同,在1至6微秒的范圍內(nèi)清除了1至6微秒的故障。圖2中的時(shí)電流特征(TCC)曲線定義的行為行為可通過(guò)軟件或本地互連網(wǎng)絡(luò)(LIN)配置。 TCC曲線包括三種檢測(cè)方法:連接溫度估計(jì),基于類(lèi)似物的數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)電流采樣和軟件可配置的硬件檢測(cè)電路

  圖3中的檢測(cè)電路包括帶有Kelvin Sense連接的分流電阻器,以提供的電壓測(cè)量,具有高增益帶寬產(chǎn)品的操作放大器,具有可配置參考的快速比較器,以及set-Reset-Reset(SR)閂鎖快速的短路檢測(cè)和保護(hù)。對(duì)于不需要立即響應(yīng)的過(guò)載,當(dāng)前的感官信號(hào)由微控制器的ADC和固件處理。該設(shè)計(jì)包括兩種操作模式:邊緣觸發(fā)或直通模式。在邊緣觸發(fā)模式下,超過(guò)閾值的過(guò)度電流會(huì)立即觸發(fā)。在乘車(chē)模式下,過(guò)度電流會(huì)立即將SIC MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)到較低的電壓,以延長(zhǎng)其短路的承受時(shí)間。如果過(guò)度流動(dòng)的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于預(yù)定義的可配置持續(xù)時(shí)間,則SIC MOSFET會(huì)關(guān)閉,中斷電路。但是,如果電流下降到閾值以下,則將MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)回到全門(mén)驅(qū)動(dòng)器。

  圖2。TCC 曲線。圖像由Bodo的Power Systems  [PDF]提供圖3。 過(guò)度的檢測(cè)和保護(hù)實(shí)施。圖像由Bodo的Power Systems  [PDF]提供優(yōu)越的短路保護(hù)

  圖4顯示了帶有傳統(tǒng)的30 A保險(xiǎn)絲和30 A Fuse示威者的帶電操作測(cè)試器短路測(cè)試中的亮潮。為了證明快速響應(yīng)時(shí)間,在更嚴(yán)格的操作條件下測(cè)試了E-Fuse,其源電感降低了六倍,這導(dǎo)致當(dāng)前的坡道比Fuse測(cè)試中的較高六倍。即使在這種情況下,短路電流也僅在E-Fuse測(cè)試中的216 A峰值,而保險(xiǎn)絲允許峰值電流為3.6 ka??偣收锨宄龝r(shí)間為672 ns,帶有傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲為276 ?s。除了快速清理時(shí)間以外的時(shí)間允許較低的快速通行(LT)電流之外,出租能量比傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲低數(shù)百到數(shù)千倍。在此測(cè)試中,與由保險(xiǎn)絲保護(hù)的電路相比,E-Fuse的相應(yīng)出租能量為406 MJ。這種戲劇性的性能差異有可能防止斷層載荷在受電子配飾保護(hù)時(shí)成為嚴(yán)重的故障。

  圖4。 帶保險(xiǎn)絲(頂部)和E-Fuse(底部)的短路測(cè)試。圖像由Bodo的Power Systems  [PDF]提供此外,在保險(xiǎn)絲測(cè)試中,直流鏈路電容已完全放電。然而,隨著電路受電子的保護(hù),450 V DC總線僅降低了2V,小于200 ns。這是一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗试S系統(tǒng)繼續(xù)運(yùn)行,而不會(huì)關(guān)注設(shè)備故障,從而導(dǎo)致DC總線上的傾角或輟學(xué)。在許多系統(tǒng)中,出現(xiàn)故障可能是危險(xiǎn)或?qū)е掳嘿F的停機(jī)時(shí)間,電子融合提供了較高的電路保護(hù)水平??偨Y(jié)一下測(cè)試結(jié)果,電子福利將短路斷層清除了300倍,速度降低了16倍,降低了16倍,在保持穩(wěn)定的直流總線的同時(shí),降低了16倍的釋放能量。


關(guān)鍵詞:SIC

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