Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET
    Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品是 750V SiC FET 系列中的首款產(chǎn)品，R DS(on)范圍為 5.4 mΩ 至 60 mΩ，將采用 TOLL 封裝。這些組件非常適合空間有限的應(yīng)用，例如可處理 100 A 電流和數(shù)百瓦到數(shù)千瓦的交流/直流電源的固態(tài)繼電器和斷路器。
    通過2021 年 10 月收購 UnitedSiC，Qorvo 構(gòu)建了基于 SiC 的 FET 產(chǎn)品的高性能產(chǎn)品組合，使公司能夠提供涵蓋功率轉(zhuǎn)換、運(yùn)動(dòng)控制和電路保護(hù)等應(yīng)用的電源解決方案。
    具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用
    新器件滿足了服務(wù)器電源對(duì)尺寸、效率和成本的需求，其中功率密度已增加到 100 W/in 以上。3因?yàn)樘幚砥骱碾娏看?，并且在相同尺寸下需要更多功率（每個(gè) AC/DC PSU >3 kW）。同樣，固態(tài)斷路器需要能夠滿足空間受限應(yīng)用要求的解決方案，其中主動(dòng)冷卻是一種選擇，并且必須具有承受高電流和高電壓的能力。
    Qorvo 的新型 TOLL 封裝器件滿足上述要求，因?yàn)樗鼈儯?br />     減少封裝占地面積
    更薄的封裝，允許更厚的散熱器
    低功率損耗
    表面貼裝技術(shù)封裝，可自動(dòng)組裝到 PCB 子卡上，從而降低成本
    每個(gè)封裝的電阻較低，無需并聯(lián)多個(gè) FET
    高電流承受能力和更長的短路承受時(shí)間
    具有足夠的響應(yīng)時(shí)間的抗噪能力
    與傳統(tǒng)的 D2-PAK 封裝相比，TOLL 具有減小占地面積和高度的優(yōu)點(diǎn)，如圖 1 所示。
    低 RDS(on) 表面貼裝產(chǎn)品的尺寸 — D2PAK7L 與 TOLL。

    圖 1：低 R DS(on)表面貼裝產(chǎn)品的尺寸 — D2PAK7L 與 TOLL（）
    第 4 代 SiC FET在 600/750V 級(jí)功率 FET 中的R DS(on)和輸出電容的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面提供了無與倫比的性能。此外，該器件采用 TOLL 封裝的 R DS(on)為 5.4 mΩ，比GaN 晶體管、SiC MOSFET 和一流的硅 MOSFET 低 4 至 10 倍。SiC FET 的 750V 額定值也比競爭技術(shù)高 100 至 150V，從而顯著提高了處理電壓瞬變的設(shè)計(jì)余量。
    如圖 1 所示，與同類 D2PAK 表面貼裝替代方案相比，TOLL 封裝的占地面積小 30%，高度短 50%（2.3 毫米）。TOLL 封裝還具有開爾文源連接，可通過更清晰的柵極波形可靠、快速地切換大電流。
    新型 SiC FET 利用 Qorvo 獨(dú)有的共源共柵電路布置（其中 SiC JFET 與硅 MOSFET 共同封裝）來創(chuàng)建一種器件，該器件充分利用寬帶隙開關(guān)技術(shù)帶來的效率優(yōu)勢(shì)以及硅 MOSFET 更簡單的柵極驅(qū)動(dòng)。SiC JFET 提供與 SiC MOSFET 相同的 R DS(on)，但需要更小的芯片面積，并且通常位于器件上。將 SiC JFET 與常關(guān)硅 MOSFET 相結(jié)合，共源共柵配置保留了 JFET 的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)允許與標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET兼容。共源共柵是一種常關(guān)配置，對(duì)客戶透明，并具有帶柵極、源極和漏極的標(biāo)準(zhǔn)三端器件。
    盡管尺寸大幅減小，但新型 FET 從結(jié)到外殼的熱阻達(dá)到了業(yè)界的 0.1°C/W。新型 750V/5.4mΩ UJ4SC075005L8S 采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝（例如燒結(jié)芯片貼裝），在外殼溫度高達(dá) 144°C 的情況下具有 120A 的連續(xù)額定電流，在高達(dá) 0.5ms 的情況下具有 588A 的脈沖電流額定值。
    這使得“I 2 t”額定值比相同封裝中的硅 MOSFET 高大約 8 倍，從而增強(qiáng)了魯棒性和瞬態(tài)過載抗擾度，同時(shí)簡化了設(shè)計(jì)流程。極低的 R DS(on)、高 T j(max) = 175°C 和出色的瞬態(tài)熱行為相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了這一點(diǎn)。此外，SiC FET 的過電流比同一封裝中 R DS(on)硅 MOSFET 高 2.8 倍 (tp~0.5–1 ms)。圖 2 顯示了采用 TOLL 封裝的硅和 SiC FET 的脈沖電流與脈沖寬度的關(guān)系，對(duì)此進(jìn)行了例證。
    750V/5.4mΩ SiC FET 的脈沖寬度與（方波）脈沖電流與 TOLL 封裝中 RDS(on) 的 600V 硅 MOSFET 的比較。

    圖 2：750V/5.4mΩ SiC FET 的脈沖寬度與（方波）脈沖電流與 TOLL 封裝中 R DS(on) 600V 硅 MOSFET 的比較（）
    這些新型超低 R DS(on) TOLL 器件由于傳導(dǎo)損耗低、尺寸緊湊、高浪涌耐用性和出色的關(guān)斷能力，是在沒有主動(dòng)冷卻的小型封閉場所中經(jīng)常面臨熱挑戰(zhàn)的保護(hù)應(yīng)用的選擇。它們可以地減少散熱并避免并聯(lián)多個(gè) FET 的需要。