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LTspice 中實現(xiàn)電流模式控制降壓轉(zhuǎn)換器

出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-11-06 15:20:49

  我介紹了一款 LTspice 降壓轉(zhuǎn)換器,它使用電流模式控制 (CMC) 從 10 V 輸入產(chǎn)生 5 V 穩(wěn)壓輸出。我復(fù)制了圖 1 中的原理圖。

  

  CMC 降壓轉(zhuǎn)換器的 LTspice 原理圖。
  圖 1.峰值 CMC 降壓轉(zhuǎn)換器的 LTspice 原理圖。 
  該架構(gòu)由四個子系統(tǒng)組成:功率級、電流檢測電路、誤差放大器和 PWM 發(fā)生器。我們在篇文章中介紹了功率級和電流檢測電路;在本文中,我們將重點關(guān)注誤差放大器和 PWM 發(fā)生器?! ?br>  電壓誤差放大器
  電流模式控制要求我們對電感器電流進(jìn)行采樣并將該信息納入調(diào)節(jié)方案中。然而,我們?nèi)匀恍枰垒敵霭l(fā)生了什么。誤差放大器(圖 2)將V OUT “誤差”(實際V OUT與所需V OUT之間的差值)轉(zhuǎn)換為可驅(qū)動高效閉環(huán)控制動作的信號。

 

  圖 2.圖 1 原理圖的電壓誤差放大器部分。
  

  電壓反饋從電阻分壓器開始,該分壓器由R FB1和R FB2組成。該分量的方程為:

VFB = VOUT × RFB2RFB1 + RFB2VFB = VOUT × RFB2RFB1 + RFB2

等式 1。

   我介紹了一款 LTspice 降壓轉(zhuǎn)換器,它使用電流模式控制 (CMC) 從 10 V 輸入產(chǎn)生 5 V 穩(wěn)壓輸出。我復(fù)制了圖 1 中的原理圖?!?br>  該架構(gòu)由四個子系統(tǒng)組成:功率級、電流檢測電路、誤差放大器和 PWM 發(fā)生器。我們在篇文章中介紹了功率級和電流檢測電路;在本文中,我們將重點關(guān)注誤差放大器和 PWM 發(fā)生器?! ?br>  電壓誤差放大器
  電流模式控制要求我們對電感器電流進(jìn)行采樣并將該信息納入調(diào)節(jié)方案中。然而,我們?nèi)匀恍枰垒敵霭l(fā)生了什么。誤差放大器(圖 2)將V OUT “誤差”(實際V OUT與所需V OUT之間的差值)轉(zhuǎn)換為可驅(qū)動高效閉環(huán)控制動作的信號?! ?br>  具有電流模式控制的 LTspice 降壓轉(zhuǎn)換器的誤差放大器部分.  

  插入原理圖中的電阻值后,結(jié)果變?yōu)椋?/p>

VFB = VOUT × 1.21 kΩ3.74 kΩ + 1.21 kΩ = VOUT × 0.244VFB = VOUT × 1.21 kΩ3.74 kΩ + 1.21 kΩ = VOUT × 0.244

等式2。

  選擇電阻值使得V FB約為V OUT的24% 。因此,完美的 5.0 V 輸出將產(chǎn)生1.2 V 的V FB,這就是參考電壓 ( V REF ) 設(shè)置為 1.215 V 的原因。它并不完全等于V FB,但我認(rèn)為差異小到足以忽略。
  對于極低頻信號,該子電路充當(dāng)開環(huán)放大器。我們知道這一點是因為兩條反饋路徑都有電容器,當(dāng)我們接近直流時,這些電容器看起來越來越像開路。
  對于導(dǎo)致V OUT漂移遠(yuǎn)離V REF 的緩慢輸出變化,放大器是反相比較器。從圖 3 左側(cè)開始,當(dāng)V OUT小于約 5.0 V(且V FB < 1.215)時,控制信號 ( V CONTROL ) 為高電平。大約 5 ms 時,V OUT超過 5.0V(且V FB > 1.215),并且V CONTROL切換至低電平。
  請注意,圖 3 中的信號標(biāo)簽遵循完整原理圖中的信號標(biāo)簽:V OUT是穩(wěn)壓器的輸出,而不是放大器的輸出。根據(jù) CMC 圖中常用的術(shù)語,放大器輸出標(biāo)記為V CONTROL。

  

  所討論的 CMC 降壓轉(zhuǎn)換器在低頻下的模擬穩(wěn)壓器和放大器行為。
  圖 3.穩(wěn)壓器和放大器在低頻下的行為。
  在高頻下,誤差放大器看起來更像反相運算放大器配置,增益為R COMP / R FB2(約 2.7 V / V)。補償組件(R COMP和C COMP)根據(jù)所需的環(huán)路動態(tài)修改運算放大器的傳遞函數(shù)。
  C HF產(chǎn)生一個極點,有助于抑制非常高頻的噪聲,這始終是快速開關(guān)晶體管附近的一個問題。如果您有興趣了解有關(guān) CMC 環(huán)路動力學(xué)的更多信息,我推薦此 TI 應(yīng)用筆記:“理解和應(yīng)用電流模式控制理論”?! ?br>  用于開關(guān)控制的 PWM 生成
  電流模式控制器的基本目的是以產(chǎn)生和維持所需輸出電壓的方式打開和關(guān)閉功率級晶體管。該任務(wù)由圖 4 中的子電路完成,該子電路由比較器和 SR 鎖存器組成。
  在正常電路操作期間,CMPR信號通過PWM R信號連接到 SR 鎖存器的 R 輸入。PWM R信號的用途將在以后的文章中介紹。

  

  CMC 降壓轉(zhuǎn)換器的 LTspice 原理圖的一部分,顯示了比較器和 SR 鎖存器。
  圖 4. CMC 降壓轉(zhuǎn)換器的比較器和 SR 鎖存器?!?br>  IND_RAMP信號是代表流過電感器的電流的電壓,CONTROL是電壓誤差放大器的輸出。A1 組件“diffschmtbuf”是 LTspice 具有差分輸入的施密特觸發(fā)緩沖器的行為模型。我們可以如下定義 diffschmtbuf 參數(shù):
  vhigh = 15:將邏輯高電壓 ( V HIGH ) 設(shè)置為 15 V,使其與鎖存器使用的邏輯電平保持一致。
  vt = 0:將閾值電壓 ( V T ) 設(shè)置為距負(fù)輸入 0 V 的偏移。當(dāng)IND_RAMP高于或低于CONTROL時,這會導(dǎo)致輸出切換。
  vh = 10m:施加 10 mV 的遲滯。
  我們將vt設(shè)置為 0 V,以便一旦正輸入高于或低于負(fù)輸入,輸出就會轉(zhuǎn)換(有 10 mV 遲滯的輕微延遲)。
  當(dāng)IND_RAMP級別超過CONTROL級別時,會發(fā)生以下事件序列:
  比較器輸出變?yōu)檫壿嫺唠娖健?br>  先前由穩(wěn)壓器振蕩器設(shè)置的 SR 鎖存器將重置。
  變化的設(shè)置/重置動作表現(xiàn)為PWM開關(guān)控制信號中變化的占空比。
  
  選擇電阻值使得V FB約為V OUT的24% 。因此,完美的 5.0 V 輸出將產(chǎn)生1.2 V 的V FB,這就是參考電壓 ( V REF ) 設(shè)置為 1.215 V 的原因。它并不完全等于V FB,但我認(rèn)為差異小到足以忽略。
  對于極低頻信號,該子電路充當(dāng)開環(huán)放大器。我們知道這一點是因為兩條反饋路徑都有電容器,當(dāng)我們接近直流時,這些電容器看起來越來越像開路。
  對于導(dǎo)致V OUT漂移遠(yuǎn)離V REF 的緩慢輸出變化,放大器是反相比較器。從圖 3 左側(cè)開始,當(dāng)V OUT小于約 5.0 V(且V FB < 1.215)時,控制信號 ( V CONTROL ) 為高電平。大約 5 ms 時,V OUT超過 5.0V(且V FB > 1.215),并且V CONTROL切換至低電平。
  請注意,圖 3 中的信號標(biāo)簽遵循完整原理圖中的信號標(biāo)簽:V OUT是穩(wěn)壓器的輸出,而不是放大器的輸出。根據(jù) CMC 圖中常用的術(shù)語,放大器輸出標(biāo)記為V CONTROL?! ?br>  在高頻下,誤差放大器看起來更像反相運算放大器配置,增益為R COMP / R FB2(約 2.7 V / V)。補償組件(R COMP和C COMP)根據(jù)所需的環(huán)路動態(tài)修改運算放大器的傳遞函數(shù)。
  C HF產(chǎn)生一個極點,有助于抑制非常高頻的噪聲,這始終是快速開關(guān)晶體管附近的一個問題。如果您有興趣了解有關(guān) CMC 環(huán)路動力學(xué)的更多信息,我推薦此 TI 應(yīng)用筆記:“理解和應(yīng)用電流模式控制理論”?! ?br>  用于開關(guān)控制的 PWM 生成
  電流模式控制器的基本目的是以產(chǎn)生和維持所需輸出電壓的方式打開和關(guān)閉功率級晶體管。該任務(wù)由圖 4 中的子電路完成,該子電路由比較器和 SR 鎖存器組成。
  在正常電路操作期間,CMPR信號通過PWM R信號連接到 SR 鎖存器的 R 輸入。PWM R信號的用途將在以后的文章中介紹.
  IND_RAMP信號是代表流過電感器的電流的電壓,CONTROL是電壓誤差放大器的輸出。A1 組件“diffschmtbuf”是 LTspice 具有差分輸入的施密特觸發(fā)緩沖器的行為模型。我們可以如下定義 diffschmtbuf 參數(shù):
  vhigh = 15:將邏輯高電壓 ( V HIGH ) 設(shè)置為 15 V,使其與鎖存器使用的邏輯電平保持一致。
  vt = 0:將閾值電壓 ( V T ) 設(shè)置為距負(fù)輸入 0 V 的偏移。當(dāng)IND_RAMP高于或低于CONTROL時,這會導(dǎo)致輸出切換。
  vh = 10m:施加 10 mV 的遲滯。
  我們將vt設(shè)置為 0 V,以便一旦正輸入高于或低于負(fù)輸入,輸出就會轉(zhuǎn)換(有 10 mV 遲滯的輕微延遲)。
  當(dāng)IND_RAMP級別超過CONTROL級別時,會發(fā)生以下事件序列:
  比較器輸出變?yōu)檫壿嫺唠娖健?br>  先前由穩(wěn)壓器振蕩器設(shè)置的 SR 鎖存器將重置。
  變化的設(shè)置/重置動作表現(xiàn)為PWM開關(guān)控制信號中變化的占空比。
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