本應(yīng)用筆記介紹了 IXYS 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文件介紹了基本的額定值和特性，例如溫度、能量、機械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要描述了數(shù)據(jù)表中包含的圖表以及功率 MOSFET 的一些等效圖。
    IXYS 提供的數(shù)據(jù)表包含對于選擇合適的器件以及重新檢測其在應(yīng)用中的性能至關(guān)重要且有用的參數(shù)。數(shù)據(jù)表中包含的圖表代表了典型的性能特征，可用于從一組操作條件推斷到另一組操作條件。功率 MOSFET 通常包含一個體二極管，它在感性負載開關(guān)中提供“續(xù)流”操作。圖 1 顯示了 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET 的等效電路。

   

    圖 1 (a) N 溝道 (b) P 溝道增強型功率 MOSFET

    基本評級和特征
    額定值
    額定值是設(shè)備的極限值，并且在整個工作條件范圍內(nèi)有效。
    溫度
    結(jié)溫 TJ 和 TJM – 在大多數(shù)情況下，結(jié)溫 (TJ) 范圍為 -55 ~ 150?C，這是器件可連續(xù)運行的允許溫度范圍。除非另有說明，結(jié)溫 (TJM) 為 150?C（在某些情況下為 175?C）。結(jié)溫會改變功率 MOSFET 的電氣參數(shù)，例如，在非常低的溫度 (< -55?C) 下，器件可能會喪失其功能，而在非常高的溫度下，器件的閾值電壓會變得非常低，漏電流會變得非常高。它還可能導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)的熱失控值非常高。
    存儲溫度 TStg – 設(shè)備存儲或運輸?shù)臏囟确秶?，必須?-55 ~ 150?C 之間
    引線溫度 TL – 焊接期間的引線溫度，距離外殼 1/8” 處的引線溫度不得超過 300?C，持續(xù) 10 秒
    功耗局部放電
    功耗是器件可耗散的計算功率，是結(jié)溫和外殼溫度 TC 25?C 下熱阻的函數(shù)。
    乳膠！編碼：base64，UF8ge0R9PVxmcmFje1tUXyB7Sk19LVRfIHtUQ31dfXtSXyB7dGhKQ319
    當(dāng)前的
    連續(xù)通態(tài)漏極電流 ID25 – 這是器件在外殼溫度 (TC) 25?C 下的額定電流。它是根據(jù)功耗、導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻的溫度依賴性來計算的。引線的電流處理能力會限制它。
    引線電流 IDRMS – 這是外殼溫度 25?C 時器件引線的額定電流。
    峰值通態(tài)漏極電流 IDM – 器件在結(jié)溫下可流過高于 ID25 規(guī)格的峰值電流。它隨電流脈沖寬度、占空比和散熱條件而變化。
    二極管正向電流 Is – 這是在指定外殼溫度下二極管可以正向流動的直流電流。
    二極管正向電流 ISM – 這是二極管在結(jié)溫下可以流過 IS 規(guī)格以上的峰值電流。
    電壓
    漏源電壓 VDSS – 漏源電壓定義了這一點，不會導(dǎo)致柵源短路 (VGS=0) 的雪崩擊穿，并且器件處于 25?C 溫度。雪崩擊穿電壓與溫度相關(guān)，可能低于 BVDSS 額定值。
    柵源電壓 +/- VGS – 這是可以在柵極和源極之間引入的電壓。這取決于柵氧化層的厚度和特性。實際柵極氧化層耐受電壓通常遠高于此值，但會因制造工藝而異，因此保持在該額定值范圍內(nèi)可確保應(yīng)用可靠性。
    斷態(tài)電壓的上升速率 (dv/dt) – 定義為器件上斷態(tài)電壓的允許上升速率。
    雪崩能量（用于雪崩設(shè)備）
    雪崩漏極電流、重復(fù) IAR – 對于功率 MOSFET，雪崩期間芯片區(qū)域中電流擁擠的情況要求雪崩電流受到限制。它代表了設(shè)備的雪崩能量規(guī)格和設(shè)備的真實能力。
    重復(fù)雪崩能量，單脈沖 EAR – 連續(xù)工作時允許的反向電壓擊穿能量，同時遵守允許芯片溫度。散熱限制了雪崩能量。
    非重復(fù)雪崩能量，EAS – 連續(xù)工作時允許的反向電壓擊穿能量，同時遵守允許芯片溫度。散熱限制了雪崩能量。
    機械數(shù)據(jù)
    機械圖紙——這提供了設(shè)備的機械尺寸和封裝信息。
    重量 – 提供設(shè)備連同包裝的重量信息。
    安裝扭矩 Md – 這提供了可施加在設(shè)備上進行安裝的允許扭矩。
    基本曲線定義

   

    圖 2 (a) N 溝道 (b) P 溝道增強型功率 MOSFET
    輸出特性
    圖 2 顯示了 N 溝道功率 MOSFET 的典型輸出特性，其中描繪了不同的工作模式。在截止區(qū)，柵源電壓（VGS）小于柵閾值電壓（VGS(th)），器件開路或關(guān)斷。在歐姆區(qū)域，該器件充當(dāng)電阻器，其導(dǎo)通電阻 RDS (on) 幾乎恒定，并且等于 VDS/IDS。在線性工作模式下，器件工作在“電流飽和”區(qū)域，其中漏極電流 (Ids) 是柵源電壓 (Vgs) 的函數(shù)