BJT 仍在使用，但晶體管領(lǐng)域目前由 MOSFET 主導(dǎo)。這些是場效應(yīng)晶體管 (FET)，在導(dǎo)電控制端子（稱為柵極）和連接其他兩個端子（稱為源極和漏極）的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間具有絕緣層。
    “MOS”代表“金屬氧化物半導(dǎo)體”，但不幸的是，這現(xiàn)在不準(zhǔn)確，因為典型 MOSFET 的柵極是由多晶硅而不是金屬制成的。
    然而，這些器件有一個更準(zhǔn)確的術(shù)語：IGFET，代表絕緣柵場效應(yīng)晶體管。但根據(jù)我的經(jīng)驗，這個名字幾乎從未被使用過。

    NMOS 與 PMOS

    與 BJT 一樣，MOSFET 分為兩大類：N 溝道或 P 溝道。討論 MOSFET 的一種簡便方法是將 N 溝道器件稱為 NMOS，將 P 溝道器件稱為 PMOS。

    MOSFET，版本 1。左側(cè)的端子是柵極，箭頭標(biāo)識源極，其余端子是漏極。
    MOSFET 的物理結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了稱為體的第四個端子。在大多數(shù)情況下，body 終端可以忽略，因為它的影響可以忽略不計。

    上面的版本 1 符號反映了這樣一個事實：主體端子通常與電路操作無關(guān)。然而，在身體連接很重要的情況下，我們有這些符號：

    MOSFET，版本 2。體端子位于源極和漏極之間。

    如果由于某種原因您不喜歡版本 1 符號，那么您很幸運：

 

    MOSFET，版本 3。
    在這種情況下，您沒有區(qū)分源極和漏極的箭頭。在版本 3 符號中，源是與主體端子有連接的端子。如果您碰巧知道在實際電路中 FET 體經(jīng)常與源極短路，那么這一點很容易記住。
    如果您在版本 1 和版本 3 之間來回切換，請小心箭頭。在版本1中，指向柵極的箭頭表示PMOS；在版本 3 中，指向柵極的箭頭表示 NMOS。
    MOSFET 符號愛好者會很高興知道還有另一種方式來表示這些元件。當(dāng)我們分析或設(shè)計 CMOS 電路時，我們通常將 MOSFET 視為電壓控制的開/關(guān)開關(guān)，而沒有具體提及源極端子和漏極端子。在這種情況下，NMOS和PMOS之間的區(qū)別在于PMOS由邏輯低電壓激活，而NMOS由邏輯高電壓激活。

    因此，我們可以使用以下簡化符號：

    MOSFET，版本 4。圓圈表示“低電平有效”輸入行為，區(qū)分 PMOS 和 NMOS。
    其他類型的晶體管
    IGBT

    什么是IGBT？

    IGBT（絕緣柵雙極晶體管）將 MOSFET 特性和 BJT 特性合并到單個器件中。它主要用于開關(guān)應(yīng)用。
    下面顯示的符號似乎是更常見的版本；如果您想查看替代表示形式，請參閱有關(guān)IGBT的 AAC 教科書頁面。
    N溝道IGBT。請注意垂直空白區(qū)域如何表明柵極端子與器件的其余部分絕緣。
    JFET
    什么是 JFET？

    JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）類似于 MOSFET，但柵極不絕緣。如今，這些設(shè)備已經(jīng)很少見了。如果您知道 JFET 是晶體管類型的現(xiàn)代應(yīng)用，請在評論中告訴我們。

    JFET
    達(dá)林頓對

    達(dá)林頓對組合了兩個 BJT，使得個 BJT 的發(fā)射極電流成為第二個 BJT 的基極電流。結(jié)果是非常高的電流增益。

    NPN 達(dá)林頓對
    達(dá)林頓對被認(rèn)為是共集電極放大器概念的延伸。