光電晶體管是固態(tài)器件，用作具有內(nèi)部增益的光檢測(cè)器并用于提供模擬或數(shù)字信號(hào)。幾乎所有依賴光的電子設(shè)備（如煙霧探測(cè)器和光學(xué)遙控器）都在其系統(tǒng)中使用光電晶體管。這些設(shè)備將檢測(cè)到的光轉(zhuǎn)換為電流以供電路使用。
    本應(yīng)用筆記介紹了有關(guān)光電晶體管的一些基本事實(shí)，包括其在行業(yè)中常用的不同架構(gòu)。它討論了它的操作以及這些設(shè)備內(nèi)部的工作原理。
    當(dāng)光電晶體管檢測(cè)到近紅外范圍內(nèi)的光時(shí)，共發(fā)射極放大器電路（圖 1）產(chǎn)生一個(gè)輸出，該輸出從高狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈蜖顟B(tài)。近紅外區(qū)域的光的波長(zhǎng)范圍約為 700 納米 (nm) 至 1100 nm。輸出是通過(guò)在電壓源和組件的集電極引腳之間連接一個(gè)電阻來(lái)產(chǎn)生的。在集電極的終端讀取輸出電壓。之所以稱為放大電路，是因?yàn)闄z測(cè)到光時(shí)元件中產(chǎn)生的電流很小。然而，該組件有一個(gè)內(nèi)部放大器（在本例中為光電晶體管），可將該電流放大到有用的水平。

    共發(fā)射極放大器
    共集電極放大器（圖 2）產(chǎn)生一個(gè)輸出，當(dāng)光電晶體管檢測(cè)到紅外光時(shí)，該輸出從低狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦郀顟B(tài)。輸出是通過(guò)在組件的發(fā)射極引腳和地之間連接一個(gè)電阻來(lái)產(chǎn)生的。在發(fā)射極端子讀取輸出。

    共集電極放大器
    在兩個(gè)電路中，光電晶體管都可以在兩種模式下使用，即有源模式和開(kāi)關(guān)模式。在有源模式下工作意味著光電晶體管產(chǎn)生與組件接收到的光成比例的響應(yīng)，直至達(dá)到特定的光水平。當(dāng)光量超過(guò)該水平時(shí)，光電晶體管變得飽和，即使光照水平增加，輸出也不會(huì)增加。此模式在需要檢測(cè)兩個(gè)級(jí)別的輸入以進(jìn)行比較的應(yīng)用中非常有用。在開(kāi)關(guān)模式下操作意味著光電晶體管將響應(yīng)光線“關(guān)閉”（截止）或“開(kāi)啟”（飽和）。當(dāng)物體檢測(cè)或編碼器感測(cè)需要數(shù)字輸出時(shí)，此模式非常有用。
    通過(guò)調(diào)整放大器電路中的負(fù)載電阻，可以設(shè)置工作模式。電阻器的正確值可由以下公式確定：
    活動(dòng)模式：VCC > RL x ICC
    開(kāi)關(guān)模式：VCC < RL x ICC
    通常 5kΩ 或更高的電阻值足以在開(kāi)關(guān)模式下操作光電晶體管。開(kāi)關(guān)模式下的高電平輸出電壓應(yīng)等于電源電壓。開(kāi)關(guān)模式下的低電平輸出電壓應(yīng)小于 0.8 伏。
    剛剛描述的電路可以應(yīng)用于飛兆半導(dǎo)體提供的所有兩個(gè)引腳 IR 光電晶體管組件。它們還可以應(yīng)用于具有基極引線的三針光電晶體管組件。
    第三個(gè)光電晶體管電路（圖 3）僅涉及具有基極連接的三個(gè)引線組件。對(duì)基極的訪問(wèn)允許連接基極-發(fā)射極電阻器。高 RBE 值將防止低水平的光觸發(fā)光電晶體管，并有助于提供更多數(shù)字輸出。集電極和發(fā)射極端子可以以與上述相同的方式連接。Fairchild Semiconductor 僅提供采用密封（金屬罐）封裝的三引線組件。

    帶基極連接的光電晶體管電路
      ，光電晶體管應(yīng)偏置（施加到 VCC 的電壓）為 5 伏。  偏壓為 16 V，但是組件的性能不會(huì)隨著更大的偏壓而改變，除非將光電晶體管用作開(kāi)關(guān) - 高電平輸出將等于更高的設(shè)置。??