開關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開關(guān)瞬變是有利的，因為這顯著降低了開關(guān)模式電源中的開關(guān)損耗。尤其是在高開關(guān)頻率時，可以大幅提高開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開關(guān)轉(zhuǎn)換也會帶來一些負面影響。開關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20MHz和200MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關(guān)模式電源開發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生電磁輻射。

　　圖1顯示了快速和慢速開關(guān)轉(zhuǎn)換?？焖匍_關(guān)轉(zhuǎn)換會給鄰近電路段產(chǎn)生更強的干擾耦合。存在電壓突變的PCB走線可與具有高阻抗的鄰近走線產(chǎn)生容性耦合。存在電流突變的PCB走線可與鄰近走線產(chǎn)生電感耦合。通過減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換，可將這些影響降至。圖2顯示了一種經(jīng)驗證適用于異步開關(guān)調(diào)節(jié)器的技術(shù)。此處，兩個開關(guān)中的一個使用了肖特基二極管。將電阻與自舉電容CBOOT（提供高邊n溝道MOSFET的柵極電壓）串聯(lián)，可減慢開關(guān)的開關(guān)轉(zhuǎn)換。當無法直接調(diào)整功率MOSFET的柵極信號線時，此技巧可用于集成開關(guān)調(diào)節(jié)器。如果將開關(guān)控制器與外部MOSFET配合使用，也可將電阻插入柵極驅(qū)動走線中。電阻值通常小于100Q。

　　但是，大多數(shù)現(xiàn)代開關(guān)調(diào)節(jié)器都是具有高邊和低邊有源開關(guān)的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器。此處，在CBOOT路徑中使用電阻無法明顯減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換。如果此處還是使用與CBOOT串聯(lián)的電阻（如圖3所示），則也將減慢高邊開關(guān)的開關(guān)轉(zhuǎn)換。但是，這可能導(dǎo)致低邊開關(guān)沒有完全關(guān)閉。因此，高邊開關(guān)和低邊開關(guān)可能同時瞬間打開。這將導(dǎo)致輸入電壓到接地之間出現(xiàn)破壞性短路。這一點尤為關(guān)鍵，因為開關(guān)轉(zhuǎn)換速度也受到工作溫度等參數(shù)和半導(dǎo)體制造中的可變性的影響。因此，即使是在實驗室測試，也無法保證安全操作。要減慢具有集成開關(guān)的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器的開關(guān)轉(zhuǎn)換，應(yīng)使用可通過內(nèi)部電路直接設(shè)置開關(guān)轉(zhuǎn)換速度的同步開關(guān)調(diào)節(jié)器，例如ADI的ADP5014。在這些集成電路中，可在內(nèi)部確保：在減慢開關(guān)轉(zhuǎn)換時，兩個開關(guān)不同時導(dǎo)通，因此也不會發(fā)生短路，并且在CBOOT路徑中都沒有電阻。

　　關(guān)于快速開關(guān)轉(zhuǎn)換，近年來有一個非常重要的創(chuàng)新不容忽視。ADI的Silent Switcher技術(shù)使快速開關(guān)邊沿的電磁輻射大幅降低，高達40dB（10,000倍）。因此?？砷_發(fā)出具有超快邊沿且僅有EMC問題的開關(guān)模式電源。在大多數(shù)情況下，Silent Switcher器件無需為了減少EMI而降低開關(guān)轉(zhuǎn)換速度。通過Silent Switcher技術(shù)，在很大程度上消除了在轉(zhuǎn)換效率和電磁干擾之間進行權(quán)衡的難題。