器件專門(mén)用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路，柵極電荷低至22.5 nC，QOSS為34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封裝。
　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK?1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門(mén)用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時(shí)具有低輸出電荷（QOSS）。
　　Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路
　　與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平臺(tái)電壓，適用于柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于6 V的電路，器件動(dòng)態(tài)特性縮短死區(qū)時(shí)間，防止同步整流應(yīng)用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導(dǎo)通電阻比第二的產(chǎn)品低4.8%—與的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC，QOSS與導(dǎo)通電阻乘積，即零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）或開(kāi)關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中，MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達(dá)到水平。為實(shí)現(xiàn)更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。
　　SiSS22DN改進(jìn)了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過(guò)調(diào)校限度降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實(shí)現(xiàn)更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器主邊開(kāi)關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級(jí)，以及通信和服務(wù)器電源OR-ing功能、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電路保護(hù)、電池管理模塊的電池保護(hù)和充電。