Diodes新系列高側(cè)/低側(cè)閘極驅(qū)動(dòng)器采用 SO-8封裝以提供更高效能
出處:電子發(fā)燒友 發(fā)布于:2019-03-21 14:13:20
為業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域,包括獨(dú)立、邏輯、模擬及混合訊號(hào)半導(dǎo)體市場。公司推出全新系列的高電壓、高速閘極驅(qū)動(dòng)器,適用于轉(zhuǎn)換器、變頻器、馬達(dá)控制,以及 D 類功率放大器等應(yīng)用。上述裝置適用于 100V 的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,同時(shí)可支持以 200V 運(yùn)作的功率轉(zhuǎn)換及反轉(zhuǎn)應(yīng)用。這些功能使其非常適用于各種消費(fèi)性與工業(yè)設(shè)計(jì),包括電動(dòng)工具、機(jī)器人與無人機(jī),以及小型電動(dòng)車。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側(cè)/低側(cè)拓?fù)涞?200V 閘極驅(qū)動(dòng)器,并采用標(biāo)準(zhǔn)低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準(zhǔn)偏移技術(shù),可建立浮動(dòng)信道高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,用于以 200V 運(yùn)作的自舉式拓?fù)?,并可?qū)動(dòng)使用半橋組態(tài)的兩個(gè) N 通道 MOSFET。
此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標(biāo)準(zhǔn) TTL/CMOS 邏輯輸入,能以 3.3V 運(yùn)作,因此很容易將驅(qū)動(dòng)器連接至控制電路。其輸出的設(shè)計(jì)可承受負(fù)瞬態(tài),并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定。
DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流,DGD2012S8 則為 1.9A 與2.3A,在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時(shí)間,而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時(shí),傳播時(shí)間為 30ns。
DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝,并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運(yùn)作。
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