如今，高速光模塊出貨量越來越大，光模塊也逐漸引起了人們的注意?，F(xiàn)代社會，光模塊的處境，正應(yīng)了那首古詩：”莫愁前路無知己，天下誰人不識君?！敖裉煨【幘屯ㄟ^這篇文章，讓大家短時間內(nèi)認(rèn)識光模塊長什么樣？
　　一、光模塊的類型
　　目前，100G以上光模塊的主流封裝形式有CFP、CFP2、SFP、SFP+、QSFP28、QSFP-DD等，從下圖4種封裝形式對比可以看出之間的一些相同與差異。
　　

　　CFP模塊與眾不同之處在于外形尺寸，解鎖及鎖緊機構(gòu)由兩側(cè)的螺桿實現(xiàn)，靠近光口側(cè)模塊外圍有一圈EMI彈片。
　　CFP2的體積是CFP的1/2，它與CFP相似之處在于PCB上都設(shè)置了一個專用連接器，由于該連接器的特性決定CFP支持10x10G速率，CFP2支持4x25G和8x25G速率。
　　QSFP28和QSFP-DD都是由QSFP+協(xié)議演進(jìn)而來，兩者的結(jié)構(gòu)可以說基本相同，外形上有相同的寬度和厚度，解鎖機構(gòu)也是完全相同。
　　QSFP28支持4x25G速率，QSFP-DD支持8x25G速率，所以兩者的結(jié)構(gòu)差異之處就在電口的設(shè)計，QSFP-DD的電口金手指數(shù)量比QSFP28增加1倍。
　　二、光模塊的構(gòu)造
　　一般情況下，光模塊外殼結(jié)構(gòu)組成三部分：
　　底殼
　　上蓋
　　解鎖機構(gòu)
　　雖然光模塊外形近乎每個尺寸在MSA協(xié)議里都有明確要求，但是具體的結(jié)構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)仍然有很多講究。
　　底殼和上蓋一般是用螺釘裝配在一起，考慮到上蓋的剛度，上蓋和底殼的厚度盡量接近。
　　如果上蓋太單薄的話，模塊內(nèi)部被壓縮的導(dǎo)熱墊應(yīng)力會導(dǎo)致上蓋變形，從而使裝配后的模塊厚度尺寸超差，同時上蓋和底殼之間也會產(chǎn)生縫隙使電磁波泄露，導(dǎo)致模塊EMI屏蔽失效。
　　

　　MSA協(xié)議對解鎖機構(gòu)的拉手部分限制較小，拉手在工業(yè)設(shè)計上有足夠的空間去發(fā)揮。自然地拉手就成了表達(dá)產(chǎn)品特色和公司形象的一張面孔，讓客戶對公司光模塊的認(rèn)識從拉手開始。
　　三、光模塊的設(shè)計重點
　　主要分散熱設(shè)計和EMI屏蔽設(shè)計兩部分。
　　散熱，很好理解，就像為某為發(fā)燒而生的手機，天氣一熱就燙手，就是它的散熱設(shè)計太差。
　　熱量的傳遞有導(dǎo)熱，對流換熱及輻射換熱三種方式。光模塊的散熱設(shè)計可以說主要研究的就是導(dǎo)熱。那么如何做好光模塊散熱設(shè)計呢？搬出Fourier導(dǎo)熱定律公式研究一番，就知道怎么去做了。
　　Q=λA(Th-Tc)/δ
　　其中：λ為材料的導(dǎo)熱系數(shù)，單位為W/(m*℃),表示了該材料導(dǎo)熱能力的大?。?br /> 　　A為與熱量傳遞方向垂直的面積，單位為m2；
　　δ為兩個面之間的距離，單位為m；
　　Th與Tc分別為高溫與低溫面的溫度，單位為℃。
　　從上面的公式得知，要提高熱流量Q，需要從三個方面著手，提高材料的導(dǎo)熱系數(shù)λ，增加熱量傳遞的截面積A，減小高低溫面之間的距離δ。
　　要做好光模塊散熱設(shè)計是一件極其復(fù)雜的事情。
　　通常情況下發(fā)熱器件盡量布置在模塊的TOP面，使熱量優(yōu)選傳遞到主散熱面；
　　對于多個發(fā)熱器件，盡量分散布置，使得模塊表面熱耗均勻，更有利于散熱；
　　熱敏感器件布置盡量遠(yuǎn)離高溫發(fā)熱器件，例如硅光芯片的布置就要遠(yuǎn)離DSP、Driver等發(fā)熱高的器件；
　　對于發(fā)熱高的器件不得不布置在BOTTOM面時，就要采用跨空間散熱技術(shù)，目前人工石墨導(dǎo)熱材料是不錯的選擇，該材料不僅有高達(dá)1500 W/m*k的導(dǎo)熱系數(shù)(水平方向)，而且可以彎曲折疊。

　

　　光模塊散熱設(shè)計需要熱仿真配合來完成，通過仿真分析來檢驗熱設(shè)計是否滿足要求，并指導(dǎo)熱設(shè)計優(yōu)化方向。這樣的工作往往需要多次迭代才能終確定散熱設(shè)計方案。
　　電磁兼容性EMC(Electro Magnetic Compatibility)，是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。

　　形成電磁干擾必須同時具備三個因素：
　　電磁騷擾源
　　耦合路徑
　　敏感設(shè)備
　　針對以上三個因素，有多種途徑可以抑制電磁干擾的影響，而從光模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計的角度出發(fā)，采用電磁屏蔽的方法來切斷電磁騷擾的耦合路徑，是改善其電磁兼容性能的關(guān)鍵而行之有效的技術(shù)手段之一。
　　影響屏蔽體的屏蔽效能有兩個因素：
　　整個屏蔽體表面必須是導(dǎo)電連續(xù)的
　　屏蔽體上有很多導(dǎo)電不連續(xù)點，主要的一類是屏蔽體不同部分結(jié)合處形成的不導(dǎo)電縫隙。
　　這些不導(dǎo)電的縫隙就產(chǎn)生了電磁泄漏，如同流體會從容器上的縫隙上泄漏一樣。解決這種泄漏的一個方法是在縫隙處填充導(dǎo)電彈性材料，消除不導(dǎo)電點。這就像在流體容器的縫隙處填充橡膠的道理一樣。
　　對于縫隙的處理，還有一種辦法就是在設(shè)計上刻意增加縫隙的深度和形狀，目的就是讓電磁在縫隙里多次反射而衰減。
　　不能有直接穿透屏蔽體的導(dǎo)體
　　光模塊的PCB金手指是裸露在外的，也就是有導(dǎo)體穿透了屏蔽體。
　　實際上對于EMC，光模塊并不是孤立去考量的，而是將光模塊插入終端設(shè)備整體來測試和評估的。光模塊插入終端設(shè)備的CAGE里面，CAGE和設(shè)備本身進(jìn)一步對電磁進(jìn)行屏蔽和接地處理。