熟悉電子電路設計的朋友一定都知道，在電源整體設計中存在一些發(fā)熱非常嚴重的器件，如整流橋、MOS管、快恢復二極管這些器件。而在功率電源中，電感和高頻變壓器則成為了發(fā)熱現(xiàn)象的重災區(qū)。那么在功率電源中，它們的合理溫升應該是多少，在惡劣條件下的極限溫升又該是多少呢？
    一般來說，電管、變壓器類器件的溫度都控制在120℃左右。半導體結溫控制在0.8，具體的可以參考《GJB/Z35-93元器件降額準則》。
    在實際操作中，在室溫35℃環(huán)境下半導體器件熱平衡后，其溫度不超過80°；磁性器件溫度不超過90℃。當然“溫度”測試方法因人而異，該情況使用的是熱成像儀。
    其實實際上，對于元器件溫度的要求，不能用一個籠統(tǒng)的標準來全部概括。很多人在實際操作中發(fā)現(xiàn)低頻整流橋工作在100℃左右的環(huán)境也是沒有問題的。其他的功率半導體，則需要看是金屬封裝還是塑封的，150℃工作溫度或者塑封的在惡劣的情況下，溫度控制在100℃以內(nèi)都是沒有有問題的。而175℃工作溫度或者金屬封裝的，在惡劣的情況下，溫度控制在120℃以內(nèi)，應該還算是安全的。
    需要特別注意的是，那種“軸線”封裝的二極管，特別是肖特基二極管，包括部分TO252封裝的肖特基二極管，溫度控制在100℃顯然是不夠的。換句話說，降額幅度還應該與封裝體積掛鉤。封裝越大，電壓、電流、溫度的降額幅度可以越小。
    如果關于溫度的問題大家還是覺得沒有靠譜的說法，那么可以從公式計算的角度來試著分析。首先要考慮的是惡劣情況下的溫度，如溫度下滿載工作，整流橋、MOSFET、快恢復二極管表面溫度不要超過110~115℃，或根據(jù)經(jīng)驗公式估算結溫：Tj=Tc+P*Rthjc（P為MOSFET的功耗，Rthjc為MOSFET結到殼的熱阻），結溫估算出來對比功率器件規(guī)格書結溫，對比是否滿足降額要求即可，電感如果是磁環(huán)做的，磁芯和表面不要超過120℃，如果是用EE類的，磁芯線苞溫度測內(nèi)部溫度，內(nèi)部磁芯和線包苞不要超過140℃，有時候帶風扇的模塊，測表面線苞有時候很涼快，其實內(nèi)部可能溫度非常高，已無法滿足安規(guī)要求，注意線、膠帶、擋墻等材料的溫度等級選擇。
    本文從實際操作的角度出發(fā)，為大家講解功率電源器件的發(fā)熱情況以及極限工作溫度。并在通過公式計算的方式，用更加富有理論性的方式為大家提供了一種溫度知識的參考。正在被器件工作溫度困擾的朋友不妨花上幾分鐘來閱讀本文，相信會有意想不到的收獲。