隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低了飽和壓降和開關(guān)損耗。此外，通過運(yùn)用陽極短路（SA）技術(shù)在IGBT裸片上集成反向并聯(lián)二極管這項(xiàng)相對較新的技術(shù)，使得FS IGBT非常適合軟開關(guān)功率轉(zhuǎn)換類應(yīng)用。

　　場截止陽極短路溝道IGBT與NPT IGBT的對比

　　雖然NPT（非穿通）IGBT通過減少關(guān)斷過渡期間少數(shù)載流子注入量并提高復(fù)合率而提高了開關(guān)速度，但由于VCE（sat）較高而不適合某些大功率應(yīng)用，因?yàn)槠鋘-襯底必須輕度摻雜，結(jié)果在關(guān)斷狀態(tài)期間需要較厚的襯底來維持電場，如圖1（a）所示。-n-襯底的厚度是決定IGBT中飽和壓降的主要因素。

　　傳統(tǒng)NPT IGBT的“n-”漂移層和“p+”集電極之間的“n”型摻雜場截止層（如圖1（b）所示）顯著提高了IGBT的性能。這就是場截止IGBT的概念。在FS IGBT中，電場在場截止層內(nèi)急劇減弱，而在“n-”漂移層中則為逐漸減弱。因此，“n-”漂移層的厚度和飽和壓降得到了顯著改善。溝道柵極結(jié)構(gòu)也改善了飽和壓降。此外，F(xiàn)S IGBT的場截止層在關(guān)斷瞬間可加快多數(shù)載流子復(fù)合，因此其尾電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于NPT或PT IGBT.由此降低了開關(guān)損耗和關(guān)斷能量Eoff。

　　圖1: NPT IGBT（左）和場截止IGBT（右）

　　同時，出現(xiàn)了一個新的概念--陽極短路IGBT（SA IGBT）：它允許將體二極管以MOSFET的方式內(nèi)嵌到IGBT中。圖2顯示場截止溝道陽極短路（FS T SA）IGBT概念的基本結(jié)構(gòu)，其中，“n+”集電極與場截止層相鄰，作為PN二極管的陰極，而“p+”集電極層作為FS T IGBT的共集電極。

　　圖2: FS SA T IGBT的截面圖

　　圖3: 典型輸出特性對比

　　圖3顯示新陽極短路器件（FGA20S140P）、前代器件（FGA20S120M）和的競爭產(chǎn)品之間的典型輸出特性對比。在額定電流20 A的條件下，F(xiàn)GA20S140P的飽和電壓VCE（sat）是1.9 V，而FGA20S120M的飽和電壓是1.55 V,競爭產(chǎn)品的飽和電壓是1.6 V。圖4顯示反向恢復(fù)性能對比結(jié)果。SA IGBT的反向恢復(fù)性能稍遜于與IGBT共封裝的超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。幸運(yùn)的是，較高的VCE（sat）并不會對感應(yīng)加熱（IH）應(yīng)用造成危害。

　　圖4: 反向恢復(fù)性能對比

　　采用已針對感應(yīng)加熱應(yīng)用優(yōu)化了的先進(jìn)場截止陽極短路技術(shù)，F(xiàn)airchild的二代FS T SA IGBT技術(shù)，與以前版本相比，不僅顯著提高了擊穿電壓，而且提高了開關(guān)性能；即使如此，VCE（sat）還是稍顯偏高。采用軟開關(guān)測試設(shè)備得到的關(guān)斷特性對比如圖5所示。FS T SA IGBT的關(guān)斷能為573μJ ，而前一代FGA20S120M的關(guān)斷能為945μJ，而競爭產(chǎn)品的關(guān)斷能則為651 μJ。因此，在此模擬感應(yīng)加熱應(yīng)用的特定軟開關(guān)測試中，新一代FS T SA IGBT器件的關(guān)斷能至少減少了12%！

　　圖5: Eoff對比

　　每個器件的關(guān)鍵參數(shù)對比如表1所示。

　　表1:關(guān)鍵參數(shù)對比

　　* 在Ioff= 40 A 和dv/dt = 140.1V/μs條件下測量

　　總結(jié)

　　本文介紹以類似MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的一代陽極短路IGBT.與競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性。總之，新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應(yīng)用。