IR推出堅(jiān)固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET為通信電源應(yīng)用提供基準(zhǔn)性能
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2014-05-19 15:08:26
功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 - 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,為通信應(yīng)用中的DC-DC電源提供基準(zhǔn)性能。
IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工藝,提供基準(zhǔn)的導(dǎo)通電阻柵極電荷品質(zhì)因子 (Rds(on)*Qg figure of merit),以實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度,并且提高系統(tǒng)可靠性。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRFH7185TRPbF提供超低導(dǎo)通電阻,并且比同類型器件的柵極電荷顯著降低,所以從輕載到滿載都能達(dá)到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩電流密度達(dá)20%,為DC-DC通信電源提供行業(yè)堅(jiān)固耐用的解決方案?!?/FONT>
IR FastIRFET器件可與各種控制器或驅(qū)動器配合使用,從而使設(shè)計(jì)更靈活,在更小的占位面積實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF達(dá)到工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)和級濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn),并采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝5x6 PQFN,所采用的材料環(huán)保,不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
規(guī)格
封裝器件編號25°C時的Id10Vgs時的
典型/ 導(dǎo)通電阻 (Ω)4.5V時的典型QG (nC)10Vgs時的R*QG
PQFN 5×6IRFH7185TRPBF123A4.236151.2
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是耗能設(shè)備) ,是眾多國際廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。
和商標(biāo)
FastIRFET是國際整流器公司的商標(biāo),IR是國際整流器公司的注冊商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。
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