賽普拉斯F-RAM添加新的封裝方式和溫度選項
出處：電子工程專輯 發(fā)布于：2014-10-08 09:02:29
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設(shè)接口（SPI）F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40℃至 +105℃。
新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的電池供電的SRAM時實現(xiàn)管腳兼容，應(yīng)用于工業(yè)自動化、計算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲，無需電池即可實現(xiàn)長達(dá)百年的保存時間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SPI F-RAM擴(kuò)展溫度范圍則是為了適應(yīng)很多高性能應(yīng)用中的嚴(yán)苛工作條件。
賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部總監(jiān)Rainer Hoehler說：“賽普拉斯可提供業(yè)界快、能效的非易失性RAM解決方案，并且我們致力于不斷擴(kuò)充我們的產(chǎn)品線。我們很高興為我們的F-RAM客戶提供這些新的封裝和擴(kuò)展溫度范圍的產(chǎn)品?！?/FONT>
供貨情況
44-pin TSOPII封裝的1 Mb并行異步接口F-RAM器件，以及-40℃至 +105℃擴(kuò)展溫度范圍、8-pin TDFN封裝的2 Mb SPI F-RAM均將于2014年9月供貨。
關(guān)于賽普拉斯F-RAM
賽普拉斯提供豐富的F-RAM產(chǎn)品線，容量涵蓋4Kb至4Mb,電壓范圍是2.0至5.5伏。賽普拉斯的F-RAM具有近乎無限的100萬億次讀寫壽命，因而理想適合于寫操作密集的應(yīng)用。F-RAM是業(yè)界能效的非易失性RAM解決方案；F-RAM單元具有與生俱來的低功耗特點，無需充電泵即可工作。賽普拉斯的F-RAM對于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲器的應(yīng)用來說，是非常理想的選擇。這些應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、計算、網(wǎng)絡(luò)、智能儀表以及多功能打印機(jī)。
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