IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
出處:電子工程專輯 發(fā)布于:2013-10-18 14:59:30
導(dǎo)讀:功率半導(dǎo)體供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.
總所周知,IR不僅是功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,還是管理方案供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比,導(dǎo)通電阻(Rds(on))改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到。
性能特點(diǎn):
●COOLiRFET硅技術(shù)
●實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗
●系統(tǒng)尺寸減小
●成本降低
●采用DirectFET2功率環(huán)保封裝
由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比,導(dǎo)通電阻(Rds(on))改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到。雙面冷卻的中罐式DirectFET2功率封裝提供卓越的熱性能和極低的寄生電感。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉這樣說,AUIRF8736M2將COOLiRFET硅性能和DirectFET2封裝相結(jié)合,不僅將導(dǎo)通電阻改善40%,也減少50%的封裝面積,為汽車應(yīng)用提供更小的系統(tǒng)尺寸和成本。
AUIRF8736M2符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,采用不含鉛的環(huán)保封裝,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) .
產(chǎn)品規(guī)格

AUIRF8736M2適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
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