1.AT切晶體在非恒溫的情況下，在寬溫度范圍內(nèi)（-40~+85）其頻率溫度變化要小于SC切的晶體，適合于溫補(bǔ)晶振。

　　2.AT切晶體的頻率牽引率較大，適合于溫補(bǔ)晶振。

　　3.良好設(shè)計(jì)的5次泛音的晶體比3次泛音的晶體Q值更高，相噪、老化、穩(wěn)定度都會更好，更適合做恒溫晶振。

　　為了試驗(yàn)晶體的Q值與相位噪聲之間的關(guān)系，選擇了100M晶振的3種晶體進(jìn)行試驗(yàn)。

　　3種晶體如下：

　　A.AT切3次泛音，Q值約為50K（UM1封裝）。

　　B.AT切5次泛音，Q值約為90K（UM1封裝）。

　　C.SC切5次泛音，Q值約為130K（35U封裝）。

　　電路的基本結(jié)構(gòu)相同，但有一些變化。

　　晶體A沒有加恒溫電路，電源供電為5V,主振級使用4V的穩(wěn)壓電壓。

　　晶體B恒溫到70度附近，電源供電為5V,主振級使用4V的穩(wěn)壓電壓。

　　晶體C恒溫到90度附近，電源供電為12V,主振級使用8V的穩(wěn)壓電壓。

　　輸出幅度都在9dBm左右。

　　測試相噪結(jié)果如下：

　　要從理論上來解釋這個結(jié)果，有些困難甚至有些牽強(qiáng)。不過我還是嘗試一下。

　　先看遠(yuǎn)端10KHz以外的相噪，晶體C，這或許是因?yàn)槭褂昧溯^高的電源電壓，因此輸出信噪比較好。晶體A與B相比，A的遠(yuǎn)端相噪較好，這可能是基于以下2點(diǎn)：

　　1.晶體A的電路沒有恒溫，熱噪聲較低。

　　2.晶體A是三次泛音晶體，雖然Q值低，但諧振阻抗RS也低，因此主振級輸出幅度較大，信噪比提高。

　　再來看近端10HZ處的相噪，幾種晶體沒有太大的區(qū)別，恒溫和非恒溫也沒有什么區(qū)別。一般上理論認(rèn)為，晶振的相位噪聲，近端取決于晶體，遠(yuǎn)端取決于電路。近端相位噪聲正比于晶體Q值的4次方。這點(diǎn)在我的試驗(yàn)中沒有得到體現(xiàn)。我認(rèn)為可能的原因在于：

　　1.近端仍舊是電路的噪聲在起主要作用，高Q值晶體的效果沒有得到發(fā)揮。

　　2.晶體的有載Q值比空載Q值下降很多，以至于各種晶體的有載Q值差別不大，所以相噪相差不大。

　　總結(jié)來說，在低噪聲晶振的設(shè)計(jì)中，電路是非常重要的環(huán)節(jié)，振蕩電路應(yīng)該要使晶體的有載Q值不致下降很多，并且電路附加的噪聲要足夠小。一般性的設(shè)計(jì)中，不必一味追求晶體的高Q值（對老化率有要求的除外），用低成本的晶體加上設(shè)計(jì)良好的電路（電路的成本也許只要幾元錢）也能得到不錯的相位噪聲水平。