英特爾CEO在2009IDF上展示首款22nm晶圓
出處:泡泡網(wǎng) 發(fā)布于:2011-09-03 20:09:42
9月24日消息,昨天在美國舊金山2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)上,英特爾總裁兼執(zhí)行官保羅·歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上首款基于22納米制程技術(shù)的芯片。

歐德寧展示世界上款基于22納米制程技術(shù)可工作芯片的硅晶圓
◆ 在處理器和其他邏輯芯片使用22納米制程技術(shù)之前,SRAM作為測試平臺證明了22納米的技術(shù)性能、工藝良率和芯片可靠性。
◆ 英特爾22納米技術(shù)現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段,按既定步調(diào)將"Tick-tock模式"推進(jìn)到下一代。
◆ 該22納米測試電路包括用于22納米微處理器的SRAM存儲器和邏輯電路。
◆ 在364兆位的陣列中,有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化;而0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化,而且是迄今所知電路中可工作的的SRAM單元。單顆DIE內(nèi)能夠容納恐怖的29億個晶體管,密度大約是之前32納米芯片的兩倍。
◆ 22納米尺寸使用的曝光工具波長為193納米,證明了英特爾精妙的光刻技術(shù)。
◆ 22納米技術(shù)延續(xù)了摩爾定律:晶體管更小,每個晶體管能效(性能/瓦)更高、成本更低。
歐德寧表示:"在我們的關(guān)鍵增長領(lǐng)域,英特爾酷睿和凌動處理器已經(jīng)帶來了空前的反響和機遇。在這個良好勢頭的基礎(chǔ)上,我們正努力通過所有的計算設(shè)備,為人們創(chuàng)造無縫的互聯(lián)網(wǎng)體驗。今天,我們將發(fā)布一項計劃,鼓勵開發(fā)只需編程序即可在Windows和Moblin設(shè)備上同時運行的應(yīng)用軟件--并使之?dāng)U展到更多的設(shè)備,讓更多的消費者受益。"
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