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基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方案

出處:電子技術(shù)應用 發(fā)布于:2011-09-03 18:04:07

  摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法,并完成了設(shè)計和仿真。

  由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展,因此往往需要對初的設(shè)計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比,的優(yōu)點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作,順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面,F(xiàn)lash MCU市場價格也在不斷下降。實際上,F(xiàn)lash MCU工作時Flash的延時、讀寫時充等特性是非常,程序存儲在MCU外部仿真板上的SRAM中,由額外的硬件邏輯來模擬Flash的這些特性是費時低效的;同時將Flash和MCU內(nèi)嵌的其他類型存儲器如SRAM、ROM等區(qū)分開來也是十分重要的。如果在程序的調(diào)試階段就可以反映出這特性,有且于實現(xiàn)程序從仿真器到商用MCU芯片的無縫轉(zhuǎn)移。

  1 關(guān)于Flash MCU

  Flash MCU的構(gòu)成如圖1所示,主要由CPU核、Flash IP及其控制模塊、SRAM IP及基控制模塊、WatchDog、PMU(Power Manage Unit,功耗管理單元)、I/O端口以及ISP在線編程接口等組成。不同功能的Flash MCU還包含一些各自獨特的應用模塊單元,如用于尋呼的Flash MCU所包含的解碼模塊。對于用來構(gòu)成在線仿真器的Flash MCU還可能包括仿真接口單元。本文在討論Flash MCU的在線仿真時,指的都是包含仿真接口的Flash MCU。

  Flash存儲器幾乎擁有現(xiàn)今追求個性化的用戶所需要的所有優(yōu)點:掉電數(shù)據(jù)不丟失、快速的數(shù)據(jù)存取時間、電可擦除、容量大、在線(系統(tǒng))可編程、價格低廉以及足夠多的擦寫次數(shù)的高可靠性等,已成為新一代嵌入式應用的存儲器。與Flash MCU相比,MASK(掩膜)MCU盡管在大指生產(chǎn)時仍具備一定價格優(yōu)勢,但其升級不便的缺點,隨著今后Flash成本的進步降低和MCU功能需求的逐漸增多,將表現(xiàn)得更為顯著。

  2 基于外部SRAM的MCU在線仿真器

  SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。

  一種是置于CPU與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(高速緩存)和L2Cache(二級高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設(shè)計在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。

  MCU仿真器的一種常見做法是,將用戶的待調(diào)試程序(以下簡稱用戶程序)存儲在MCU外部仿真板的SRAM(以下簡稱外部SRAM)中,在bond-out MCU的外部結(jié)構(gòu)仿真監(jiān)控硬件(以下簡稱外部仿真邏輯),當用戶程序在仿真器中調(diào)試完成后,編程到商用MCU芯片中,應用到用戶系統(tǒng)。在商用MCU中,這些仿真接口信號不會出現(xiàn)在芯片封裝的管腳上。

  在Flash MCU沒有被廣泛應用之前,仿真器設(shè)計公司通常將用戶程序和監(jiān)控程序都存儲在外部SRAM中,這種做法基本上可以反映SRAM MCU真實的運行情況,對用戶程序的調(diào)度效果影響不大。但是對于Flash MCU而言,則存在一定的問題。畢競SRAM和Flash在工藝和讀寫時序上相去甚遠,CPU運行存儲在SRAM和Flash中的程序,情況是完全不同的。有可能出現(xiàn)程序存儲的仿真器的外部SRAM中運行良好,但是編程到商用MCU中工作起來卻不正常。隨著Flash MCU在 MCU市場中的比重越來越大,這一問題顯得越來越突出,有必要加以重視。

  本文介紹的Flash MCU仿真器的設(shè)計方法,幾乎不增加MCU的仿真接口信號和芯片設(shè)計的復雜程度,就可以接近程序在商用MCU中的運行情況,實現(xiàn)用戶程序從仿真器到商用MCU的良好轉(zhuǎn)移。

  3 基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器的一種設(shè)計方法

  圖2是Flash MCU仿真器系統(tǒng)構(gòu)成示意圖,其中的虛線接口信號是MCU的仿真接口,通常包括仿真使能信號,bond-out MCU中的CPU的地址、數(shù)據(jù)、讀/寫和取指等信號,以及少數(shù)幾個用于仿真的控制信號。仿真接口是Flash MCU與外部仿真邏輯之間的橋梁,使得外部仿真邏輯能夠監(jiān)控MCU的內(nèi)部狀態(tài)。

  3.1 仿真器的工作原理

  仿真器內(nèi)部的P口等硬件資源和51系列單片機基本是完全兼容的。仿真主控程序被存儲在仿真器芯片特殊的指定空間內(nèi),有一段特殊的地址段用來存儲仿真主控程序,仿真主控程序就象一臺電腦的操作系統(tǒng)一樣控制仿真器的正確運轉(zhuǎn)。仿真器和電腦上的上位機軟件(即KEIL)是通過串口相連的,通過仿真器芯片的RXD和TXD負責接收電腦主機發(fā)來的控制數(shù)據(jù),TXD負責給電腦主機發(fā)送反饋信息??刂浦噶钣蒏EIL發(fā)出,由仿真器內(nèi)部的仿真主控程序負責執(zhí)行接收到的數(shù)據(jù),并且進行正確的處理。進而驅(qū)動相應的硬件工作,這其中也包括把接收到的BIN或者其它格式的程序存放到仿真器芯片內(nèi)部用來存儲可執(zhí)行程序的存儲單元(這個過程和把程序燒寫到51芯片里面是類似的,只是仿真器的擦寫是以覆蓋形式來做的),這樣就實現(xiàn)了類似編程器反復燒寫來試驗的功能!不同的是通過仿真主控程序可以做到讓這些目標程序做特定的運行,比如單步、指定斷點、指定地址等,并且通過KEIL可時時觀察到單片機內(nèi)部各個存儲單元的狀態(tài)。仿真器和電腦主機聯(lián)機后就象是兩個精密的齒輪相互咬合的關(guān)系,一量強行中斷這種聯(lián)系(比如強行給仿真器手動復位或都撥支聯(lián)機線等),電腦就會提示聯(lián)機出現(xiàn)問題,這也體現(xiàn)了硬件仿真的特性,即"所見即所得"。這些都是編程器無法做到的。這些給調(diào)試、修改、以及生成終程序創(chuàng)造了比較有力的保證,從而實現(xiàn)較高的效率。

  仿真器工作時,CPU的取指空間需要在內(nèi)外存儲器之間反復切換。CPU地址空間劃分示意圖如圖3所示??傮w上,仿真器的工作受圖4所示的狀態(tài)機控制。該狀態(tài)機共有四個狀態(tài):

  ·用戶程序運行態(tài)(簡稱用戶態(tài))

  仿真器復位后,處在運行用戶程序的狀態(tài)。在該狀態(tài)下,CPU運行存儲在內(nèi)部Flash中的用戶程序;外部仿真邏輯實時監(jiān)測仿真接口,等待程序中斷事件的發(fā)生,進入下一狀態(tài)-跳轉(zhuǎn)態(tài)。

  用戶程序通過MCU的ISP(在線編程接口)編程到內(nèi)部Flash中,由Flash MCU的專用編程器完成。在設(shè)計bond-out MCU時,應該考慮與非bond-out MCU在編程時管腳的一致性。

  外部SRAM用來存儲監(jiān)控程序和監(jiān)時數(shù)據(jù)。

  ·跳轉(zhuǎn)態(tài)

  一旦程序中斷事件發(fā)生,需要切換CPU的取指空間,跳轉(zhuǎn)到監(jiān)控程序窗口。

  由于在程序中何處中斷是不可預知的,因此不可能在用戶程序中預先安插好用于空間切換的跳轉(zhuǎn)指令。所以需要一個專門的狀態(tài)來插入跳轉(zhuǎn)指令碼和跳轉(zhuǎn)的目的地址,即監(jiān)控程序的入口地址,強制CPU運行監(jiān)控程序。監(jiān)控程序窗口是劃分CPU地址空間時,為仿真功能預留的地址空間,空間大小視所需的監(jiān)控程序的大小而定,監(jiān)控程序的大小在一定程序上取決于仿真功能的強弱。

  CPU從仿真接口讀跳轉(zhuǎn)指令碼和跳轉(zhuǎn)地址。MCU外部仿真邏輯同時使能程序空間切換信號,屏蔽MCU的所外部中斷,停止MCU中CPU外圍模塊的時鐘,也就相當于屏蔽了MCU的所有內(nèi)部中斷。當程序空間的切換完成后,仿真器進入監(jiān)控態(tài),運行存儲在外部SRAM中的監(jiān)程序。

  ·監(jiān)控態(tài)

  在監(jiān)控狀態(tài)下,CPU運行存儲在外部SRAM中的監(jiān)控程序;繼續(xù)禁止MCU的所有外部中斷,停止MCU中CPU外圍硬件模塊的時鐘。

  監(jiān)控程序的任務(wù)是獲取MCU當前的狀態(tài),接受軟件的調(diào)試命令,控制MCU的下一步運行。監(jiān)控程序可以寫得很簡單,僅僅獲取CPU特殊寄存器和外圍硬件寄存器的值,實現(xiàn)監(jiān)視功能。如MOTOROLA的HC6808就可以通過在監(jiān)控程序開始處加入以下程序段得到這些寄存器的值。對于CPU指令集不支持讀取全部特殊寄存器的MCU,可以通過在MCU內(nèi)部增加測試邏輯得到。PC值即為程序中斷處CPU的取指地址。

  PSHA ;將ACC的值壓入堆棧

  TPA ;將CCR的值傳送給ACC

  STA $2FEB ;將CCR的值存入存儲器,地址為$2FEB

  PULA ;將ACC彈出堆棧

  STA $2FEA ;將ACC有值存入存儲器,地址為$2FEA

  STHX $5F ;將IDX(H:X)的值存入存儲器,地址為$005F

  TSX ;將SP的值傳送給IDX(H:X)

  STHX $5D ;將SP的值存放存儲器,地址為$005D

  當不再繼續(xù)調(diào)試,給出開始運行的命令,監(jiān)控程序結(jié)束對運行命令的等待,并且將CPU特殊寄存器的值恢復。繼續(xù)運行監(jiān)控程序,直到一條指令即跳轉(zhuǎn)指令進行返回態(tài)。

  ·返回態(tài)

  CPU執(zhí)行監(jiān)控程序的一條指令-跳轉(zhuǎn)指令。外部仿真邏輯在指令碼后緊接著插入本次中斷事件的中斷點地址(進入監(jiān)控程序之前的用戶程序指令地址),CPU的取指空間需要跳回到用戶程序空間。取消對外部中斷的屏蔽,恢復CPU外圍模塊的工作時鐘,監(jiān)控程序完成使命,回到用戶態(tài),繼續(xù)運行內(nèi)部Flash中的用戶程序。

  3.2 內(nèi)部仿真邏輯

  為了構(gòu)造合適的MCU的仿真接口,必須在MCU設(shè)計時,在MCU內(nèi)部增加一個仿真接口模塊,稱為內(nèi)部仿真接口模塊。負責對仿真接口所需的CPU端口信號進行處理(如出于減少bond-out信號線的考慮,將地址和數(shù)據(jù)總線復用),并產(chǎn)生外部仿真邏輯所需的控制信號如地址鎖存信號,接收來自外部仿真邏輯的控制信號如程序文憑間切換使能信號等。

  3.3 外部仿真邏輯

  外部仿真邏輯如圖2左部所示,負責接收計算機通過并口發(fā)送的仿真命令,監(jiān)視MCU的仿真接口,控制仿真器的工作狀態(tài)。外部仿真邏輯由外部仿真接口模塊、斷點判斷模塊、軌跡紀錄模塊、并口接口模塊和外部SRAM讀寫控制模塊等部分組成。各個模塊的作用簡單介紹如下:

  ·外部仿真接口模塊

  該模塊是外部仿真邏輯中仿真狀態(tài)機所在的模塊。功能包括:接收業(yè)自MCU的地址、數(shù)據(jù)、讀/寫、取指、地址鎖存等信號;根據(jù)并口接口模塊給出的來自軟件的仿真命令,并接收來自斷點判斷模塊的斷點標志信號;產(chǎn)生送給MCU的程序空間切換使能信號;運行監(jiān)控程序時,給出讀寫外部SRAM所需信號,并接收讀出的數(shù)據(jù),將其送給MCU。

  ·斷點判斷模塊

  根據(jù)外部仿真接口模塊送來的CPU地址,讀取斷點標志存儲器中的相應值。如果讀出的標志為有效值,表示當前地址為斷地址。接收來自并口接口模塊的設(shè)置和清除斷點命令,將斷點存儲器的相應位置1或置0。允許設(shè)置任意數(shù)目的硬件斷點。

  ·軌跡紀錄模塊

  將外部仿真接口模塊送來的CPU取指地址,存儲在軌跡紀錄的存儲器中。軌跡紀錄的存儲器采用的FIFO的方式,所能紀錄的軌跡長度是有限的,存滿刷新。軟件讀取該存儲器,可以得到CPU的運行軌跡。

  ·并口接口模塊

  并口接口(并行接口),簡稱并口,也就是LPT接口,是采用并行通信協(xié)議的擴展接口。并口的數(shù)據(jù)傳輸率比串口快8倍,標準并口的數(shù)據(jù)傳輸率為1Mbps。并口采用的是25針D形接頭。所謂“并行”,是指8位數(shù)據(jù)同時通過并行線進行傳送,這樣數(shù)據(jù)傳送速度大大提高,但并行傳送的線路長度受到限制,因為長度增加,干擾就會增加,數(shù)據(jù)也就容易出錯。目前,并行接口主要作為打印機端口等。

  提供仿真器和計算機并口之間的通信接口,可以針對不同的并口模式設(shè)計,以滿足不同模式的通信時序要求。

  ·外部SRAM讀寫控制模塊

  仿真過程中,仿真器的不同部分需要分時讀寫外部SRAM,包括:并口接口模塊下裝程序到外部SRAM;MCU在監(jiān)控態(tài)從外部SRAM中讀取程序指令,存儲臨時數(shù)據(jù)等。

  對于Flash MCU而言,這種將用戶的待調(diào)試程序存儲在MCU內(nèi)部的Flash中,將監(jiān)控程序存儲在MCU外部的SRAM中,并在MCU外部構(gòu)造仿真邏輯,通過對采用bond-out技術(shù)的MCU的bond-out管腳進行監(jiān)控,來實現(xiàn)在線仿真的做法,在芯片設(shè)計時不需要做太多的工作,而且可以反映程序真實的運行效果。而相對于用硬件平臺如FPGA仿真,則價格低廉許多,是一種種權(quán)衡折衷的方法。作者提取了一個簡單的Flash MCU模型,用這種方法完成了仿真器的邏輯設(shè)計,用Synopsys DC綜合,用Quartus布線Altera APEX 20K200 FPGA中,用ModelSim5.4進行了后仿真,完成了仿真驗證。結(jié)果證明這樣的做法是可行的。



  

參考文獻:

[1]. ROM datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/ROM_1188413.html.
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[5]. STA  datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/STA+_2043195.html.
[6]. 5F  datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/5F+_2304288.html.


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