爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進入送樣階段，年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)集成電路設計行業(yè)的消息來源稱，預見到SDRAM內(nèi)存將出現(xiàn)供應短缺的局面，臺灣地區(qū)集成電路設計廠商和韓國現(xiàn)代半導體公司本星期開始將把16兆、64兆和128兆SDRAM內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格提高10%至15%。SDRAM內(nèi)存芯片供應短缺主要是因為包括先鋒國際半導體公司、華邦電子和中芯國際等在內(nèi)的主要廠商正在放棄價格低廉的SDRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)，開始轉(zhuǎn)產(chǎn)LCD驅(qū)動芯片和邏輯集成電路。

　　SGRAM （Synchronous Graphics Random-Access Memory），同步圖形隨機存儲器，是一種專為顯卡設計的顯存、一種圖形讀寫能力較強的顯存，由SDRAM改良而成。SGRAM讀寫數(shù)據(jù)時不是一一讀取，而是以“塊”（Block）為單位，從而減少了內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，提高了圖形控制器的效率。同SDRAM一樣，SGRAM也分普通SGRAM與DDR SGRAM兩種。

　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的耗電量便可比過去下降45%左右。

　　在目前的數(shù)字化、高清化的時代大背景下，對于個人計算機而言，圖形設備無疑是重中之重。只有在底層支持度達到完美的前提下，外設和應用才能夠有發(fā)展的可能性。那么對于獨立顯卡這個東西來說，目前的架構(gòu)發(fā)展依舊在正常的軌道上，主流的獨顯筆記本電腦已經(jīng)都開始采用nVIDIA GeForce 5xxM系列或者AMD Radeon 6xxxM系列顯卡。這些芯片的更新每年基本都保持著穩(wěn)定的性能上升，如果在此基礎上仍然對更高的性能有所渴望，那么顯存規(guī)格就是應該被考量的指標。也許在以往很多人非常在意顯存容量，但現(xiàn)在可能已經(jīng)不再如此，芯片型號變得比以往被更多地關(guān)注起來，雖然前者過度關(guān)注容量本身存在誤區(qū)，但其實與顯存相關(guān)的話題當中的確有非常值得注意的，我們今天要談的就是和顆粒規(guī)格有關(guān)的事情。

　　爾必達同時表示，從50nm制程轉(zhuǎn)換到40nm制程的成本很低，幾乎相當于零，而從65nm制程技術(shù)轉(zhuǎn)換至40nm所需的成本也可以控制在比較理想的范圍之內(nèi)。

　　除了積極開發(fā)更小尺寸的制程工藝技術(shù)之外，爾必達同時也在積極完善現(xiàn)有的舊制程技術(shù)，他們正在開發(fā)65nm XS制程技術(shù)，這種技術(shù)據(jù)稱可與其它公司的50nm制程級別產(chǎn)品一爭高下。

　　爾必達還表示，其在下屬臺灣合資企業(yè)中推進40nm制程的政策將采取靈活應變的思路，會根據(jù)市場需求的實際變化來做出決定。

　　另外，爾必達還宣稱采用了新制造系統(tǒng)（即按產(chǎn)品類別區(qū)分產(chǎn)線，將移動產(chǎn)品用內(nèi)存和PC內(nèi)存等不同用途的產(chǎn)品安排在不同的產(chǎn)線上生產(chǎn)）的廣島分廠的產(chǎn)品良率取得了不錯的提升。

　　爾必達表示如果未來的DRAM內(nèi)存市場狀況允許，他們有可能會將40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)出量提升到總產(chǎn)量的50%。

　　相比之下，韓國廠商三星則早在今年七月份即宣稱完成了40nm制程2Gb DDR3 1600內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，這種內(nèi)存芯片工作電壓可低至1.35v。