SJ/T 11398-2009 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
出處:tyw 發(fā)布于:2011-09-02 10:16:41
1 范圍
本規(guī)范規(guī)定了功率半導(dǎo)體二極管芯片產(chǎn)品(以下簡稱芯片)的技術(shù)要求,檢驗規(guī)則和檢驗方法,芯片的具體規(guī)格和性能指標(biāo)在相關(guān)的詳細規(guī)范中規(guī)定。
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本規(guī)范的引用而成為本規(guī)范的條款,凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本規(guī)范,然而,鼓勵根據(jù)本規(guī)范達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本規(guī)范。
GB/T 4937.1—2006 半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法 第1部分 總則(IEC 60749-1:2002,IDT)
GB/T 4937—1995 半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法(idt IEC 60749:1984)
SJ/T 11394—2009 半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法
SJ/T 11399—2009 半導(dǎo)體發(fā)光二級管芯片測試方法
3 要求
3.1 通則
3.1.1 優(yōu)先順序
芯片應(yīng)符合本規(guī)范和相關(guān)詳細規(guī)范的所有要求。本規(guī)范的要求與相關(guān)詳細規(guī)范不一致時,應(yīng)以相關(guān)詳細規(guī)范為準(zhǔn)。
3.1.2 對詳細規(guī)范的引用
本規(guī)范中使用“按規(guī)定”一詞而未指明引用的文件時,即指引用相關(guān)詳細規(guī)定。
全文PDF:SJT 11398-2009 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范.rar
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