1 引言

    如今節(jié)能的重要性日益顯著，將IGBT模塊用作開(kāi)關(guān)器件的應(yīng)用領(lǐng)域也不斷拓展。為提高電能變換器的效率，研究者提出了很多新型拓?fù)潆娐?，因而市?chǎng)上對(duì)IGBT模塊的需求也隨之不斷攀升。另一方面，由于IGBT的性能已經(jīng)接近“硅限”，所以需要一種面向應(yīng)用的IGBT模塊設(shè)計(jì)。就是說(shuō)，我們要專(zhuān)門(mén)為這些電路和應(yīng)用而優(yōu)化IGBT的特性。

    我們開(kāi)發(fā)了一種適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如焊機(jī)、感應(yīng)加熱和醫(yī)療儀器用電源）的新型高速模塊。為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高效率和小型化，這些應(yīng)用的開(kāi)關(guān)頻率設(shè)定在20~50kHz ^{[2] [3]}。而在典型情況下，標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊的優(yōu)化，所針對(duì)的載波頻率卻是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通態(tài)壓降和開(kāi)關(guān)損耗之間有一個(gè)折衷關(guān)系。高速模塊在進(jìn)行性能折衷時(shí)，是讓通態(tài)電壓偏大，以換取偏低的開(kāi)關(guān)功耗，從而能在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)的總功耗。

    本文介紹了新開(kāi)發(fā)的IGBT模塊的設(shè)計(jì)理念。由于開(kāi)關(guān)頻率范圍是20~50kHz或更高，因此在這些應(yīng)用中開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通、關(guān)斷以及反向恢復(fù)損耗）是主要的功耗。

2 高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用電路

    焊機(jī)和感應(yīng)加熱的典型電路圖如圖1所示。該電路由功率因數(shù)校正斬波器和半橋直流-直流變換器構(gòu)成。在這個(gè)電路中，半橋電路采用了一個(gè)二合一模塊，功因校正電路采用了一個(gè)斬波器模塊。其中，半橋電路要工作在高頻，以降低輸出紋波電流。

圖1 焊機(jī)電路圖

圖2 半橋直流-直流整流器中的IGBT電流和V_CE波形

    圖2給出了半橋變換器中IGBT模塊的電流和電壓波形。其中，T是開(kāi)關(guān)工作的周期，T_F是FWD的續(xù)流時(shí)間。這個(gè)續(xù)流時(shí)間很短，因?yàn)樗怯?a target="_blank">變壓器漏感引起的。此外，當(dāng)IGBT開(kāi)通時(shí)，IGBT的V_CE已經(jīng)變?yōu)榱?，所以半橋中的開(kāi)通損耗小至可以忽略（零電壓開(kāi)關(guān)）。因此，在這個(gè)電路中，我們只對(duì)IGBT芯片提出低功耗要求。至于FWD，使用一個(gè)電流容量較小、具有標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)速度的器件就足夠了。

3 高速I(mǎi)GBT模塊的設(shè)計(jì)

    我們?yōu)榇搜邪l(fā)了一種適用于高頻領(lǐng)域的新型IGBT模塊。本節(jié)將介紹其IGBT/FWD芯片的設(shè)計(jì)理念及其低熱阻封裝。
    3.1高速I(mǎi)GBT芯片的設(shè)計(jì)
    在IGBT的開(kāi)發(fā)中，我們非常關(guān)注通態(tài)電壓（VCE（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）之間的折衷，如圖3所示。在高于20kHz的高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，由于開(kāi)關(guān)損耗在模塊的總功耗中份額已經(jīng)占優(yōu)，所以降低開(kāi)關(guān)損耗就變得非常重要。為了使20~50kHz開(kāi)關(guān)頻率下的總功耗降到，我們?cè)谠O(shè)計(jì)IGBT芯片時(shí)將其性能設(shè)定在折衷曲線中VCE（sat） 偏高、Eoff偏低的位置上。

圖3 IGBT的折中特性

    為降低開(kāi)關(guān)損耗，我們采用了兩項(xiàng)技術(shù)：
    （1）降低背面P+層的載流子密度（應(yīng)理解為摻雜濃度，下同——譯者注）；
    （2）減小元胞的重復(fù)步距；
    圖4給出了IGBT關(guān)斷過(guò)程中簡(jiǎn)化的IC和Vce波形圖。通過(guò)優(yōu)化載流子密度，可以更容易地抽取殘余的過(guò)剩載流子。載流子密度的降低減小了拖尾電流，并且使IGBT的電流下降得更快，這樣就減小了IGBT電流下降過(guò)程中的關(guān)斷損耗。然而，如圖3所示，隨著關(guān)斷損耗的減小，通態(tài)電壓VCE（sat）會(huì)增大。此外，通過(guò)優(yōu)化反向傳輸電容（Cres）和輸入電容（Cies）的比率，可以縮短Vce的上升時(shí)間，從而減小了Vce上升過(guò)程中的關(guān)斷損耗。采用上述兩種改進(jìn)措施使總關(guān)斷損耗大為減小。圖6比較了標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊和新開(kāi)發(fā)的高速I(mǎi)GBT模塊的關(guān)斷波形。后者的拖尾電流幾乎減為零，并且Vce上升時(shí)間變短。高速I(mǎi)GBT芯片的關(guān)斷損耗幾乎降至標(biāo)準(zhǔn)模塊的一半，但VCE（sat）則從2.1V增至4.0V。

圖4 關(guān)斷波形的改進(jìn)

圖5 高速I(mǎi)GBT芯片的橫截面圖

圖6 關(guān)斷波形的比較（200A/1200V模塊）I_C=200A, V_dc=600V

    3.2高速FWD芯片設(shè)計(jì)
    如圖1所示，功因校正電路中的斬波器模塊需要一個(gè)高速FWD芯片，因?yàn)榱鹘?jīng)二極管的是全電流，并在開(kāi)關(guān)器件處形成一個(gè)硬開(kāi)通過(guò)程。因此，反向恢復(fù)損耗（Err）在這種模塊的總損耗中占優(yōu)。與IGBT芯片類(lèi)似，在FWD的正向電壓VF和Err之間也存在一個(gè)折衷關(guān)系。在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，為使FWD芯片的工作狀態(tài)轉(zhuǎn)變到正向壓降VF較高、Err較低的情況，我們采用了一個(gè)優(yōu)化的壽命控制工藝。圖7給出了標(biāo)準(zhǔn)FWD和新開(kāi)發(fā)的高速FWD的反向恢復(fù)波形的比較。壽命控制使反向恢復(fù)電流減小。為降低反向恢復(fù)損耗，相比標(biāo)準(zhǔn)速度的FWD，我們提高了起壽命控制作用的雜質(zhì)的擴(kuò)散溫度。如表1所示，雖然VF增大了，但相比標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊，反向恢復(fù)損耗Err減小了60%。

        圖7 反向恢復(fù)波形的改進(jìn)
    If=100A，Vdc = 600 V電壓上升時(shí)間快于普通FWD，反向恢復(fù)電流有所降低

    （1）功耗對(duì)比
    圖8給出了在40kHz的半橋直流-直流變換器應(yīng)用中，新開(kāi)發(fā)的高速I(mǎi)GBT模塊與第5代標(biāo)準(zhǔn)IGBT（富士的U4系列，2MBI200U4H-120-50）的總功耗對(duì)比。在這一功耗計(jì)算中，未計(jì)入開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通損耗和FWD的通態(tài)損耗，這是因?yàn)槿绲?節(jié)所述，這些損耗在半橋直流-直流變換器中小至可以忽略。高速I(mǎi)GBT的總功耗減小了25%，開(kāi)關(guān)損耗減小了50%。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率大于15kHz時(shí)，高速I(mǎi)GBT的損耗低于標(biāo)準(zhǔn)模塊。

    圖8 IGBT功耗對(duì)比

    圖10給出了斬波器模塊的總功耗對(duì)比?？偣慕档土?6%。隨著通態(tài)損耗上升50%，反向恢復(fù)損耗減小了30%。

    圖10 斬波器模塊功耗對(duì)比

    （2）低熱阻封裝    
    隨著電能變換系統(tǒng)的小型化和高功率密度化，對(duì) IGBT模塊熱學(xué)特性的改進(jìn)變得越發(fā)重要。IGBT芯片較高的結(jié)溫，引發(fā)我們對(duì)模塊可靠性的關(guān)注。如圖9所示，與低頻應(yīng)用相比，高開(kāi)關(guān)頻率下的總功耗較大。因此，為了降低高速模塊的結(jié)溫，需要減小熱阻（結(jié)殼之間）。改進(jìn)的高速模塊采用了一種由氮化硅（Si3N4）[4] 制成的低熱阻DCB（直接銅鍵合）基底。常規(guī)的DCB基底由氧化鋁（Al2O3）制成。Si3N4的熱導(dǎo)率是Al2O3的4倍，在芯片尺寸相同時(shí)，熱阻Rth（j-c）減小了20%。

4 高速模塊

    所有模塊的額定電壓都是1200V。二合一模塊的額定電流為100A到200A，斬波器模塊的額定電流為200A到400 A。圖12給出了封裝的外觀。該封裝是一個(gè)經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)封裝（厚30mm）。其中，二合一模塊中所用的標(biāo)準(zhǔn)FWD芯片。這里并不需要一個(gè)高速FWD，因?yàn)樵诎霕駾C-DC變換器中，流過(guò)FWD的電流很小，并且給開(kāi)關(guān)器件形成一個(gè)軟開(kāi)通條件。在斬波器模塊中，采用的是高速I(mǎi)GBT芯片和高速FWD芯片，因?yàn)樵赑FC電路中FWD是全電流導(dǎo)通。

    圖12 高速I(mǎi)GBT模塊外觀

5 結(jié)論 

    開(kāi)發(fā)了適合高頻應(yīng)用的高速I(mǎi)GBT模塊，本文介紹了其IGBT/FWD芯片的設(shè)計(jì)理念。研究結(jié)果顯示，在諸如焊機(jī)、等離子切割機(jī)、感應(yīng)加熱等應(yīng)用中，采用新型高速I(mǎi)GBT模塊能成功地將總功耗降低30~50%以上。所開(kāi)發(fā)的高速模塊（含IGBT和FWD芯片）也能夠應(yīng)用于醫(yī)療儀器的核磁共振成像和X光系統(tǒng)電源、光伏（PV）逆變器和不間斷電源。