多諧振蕩器：利用深度正反饋，通過阻容耦合使兩個電子器件交替導通與截止，從自激多諧振蕩器而自激產(chǎn)生方波輸出的振蕩器。常用作方波發(fā)生器。   多諧振蕩器是一種能產(chǎn)生矩形波的自激振蕩器，也稱矩形波發(fā)生器。"多諧"指矩形波中除了基波成分外，還含有豐富的高次諧波成分。多諧振蕩器沒有穩(wěn)態(tài)，只有兩個暫穩(wěn)態(tài)。在工作時，電路的狀態(tài)在這兩個暫穩(wěn)態(tài)之間自動地交替變換，由此產(chǎn)生矩形波脈沖信號，常用作脈沖信號源及時序電路中的時鐘信號。

　　多諧振蕩器構(gòu)成：

　　1、分立元件構(gòu)成   2、運放構(gòu)成   3、集成門電路構(gòu)成   4、集成施密特觸發(fā)器組成的   5、晶體管穩(wěn)頻的   6、555集成電路組成

　　很多設計都采用基于邏輯元件的非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，簡單的辦法是圍繞一個單反相施密特觸發(fā)轉(zhuǎn)換器的RC反饋回路（圖1）。輸出端將電容充電至較高的開關閾值，在該點上輸出切換至其相反狀態(tài)，而電容的充電電流反向。當電容的電壓跨越較低閾值時，輸出與閾值均轉(zhuǎn)換為原來的值，過程重復。時序取決于RC時間常數(shù)與兩個閾值之間寬度所決定的遲滯時間（圖2）。不幸的是，雖然轉(zhuǎn)換器制造商在數(shù)據(jù)表中給出了器件的遲滯電壓，但范圍相當大。另外，它們還與溫度有一些關聯(lián)。

  圖1,采用一個施密特觸發(fā)器和一個RC網(wǎng)絡的基本非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。

　　圖2,一只器件的遲滯主要確定了開關的閾值。

　　簡單的轉(zhuǎn)換器（沒有可過沖超出標稱閾值的遲滯）將電容充電至其閾值電壓，并停止在其狹窄的線性區(qū)間內(nèi)。在這個點上，從反相輸出到輸入端的負反饋將輸出穩(wěn)定到閾值電壓。，正反饋由外接無源元件所確定（圖3）。

　　圖3,增加一個正反饋級可為一個簡單的反相級提供遲滯。

　　無論第1級何時跨越其閾值，附加的第2級會通過一個反饋電容注入額外的電荷，使時序電容的電壓跳過閾值。RC充電電流轉(zhuǎn)換方向，返回閾值電壓。當回到閾值電壓時，遲滯注入電路再次使電壓跳過目標值，于是RC時序電路必須再次使充電電流反向，以搜尋閾值電壓（圖4）。VTHRESH是閾值電壓，VLOW為低輸出電壓，VHIGH而為高輸出電壓。

　　圖4,遲滯的來源是從第2級的突發(fā)充電，它以一個已知的固定量，使時序電容電壓跳過開關閾值。

　　可以查看遲滯過沖電壓VHYST,它是由時序電容CT和遲滯電容CH構(gòu)成的電容分壓器的結(jié)果。當?shù)?級轉(zhuǎn)換第2級時，其輸出從一個低值跳到一個高值，或者從一個高值跳到一個低值，跳躍的量為VHIGH–VLOW,而時序電容的電壓跳躍的幅度為VHYST=（VHIGH–VLOW）（CH/（CH+CT））。其次，時序電容通過時序電容和遲滯電容吸入電流，其電壓放松至第1級的輸出電壓。

　　于是，弛豫時間常數(shù)為R（CT+CH），弛豫電壓為VCT=（VTHRESH+VHYST–VLOW）exp（–t/R（CT+CH））或VCT=（VHIGH–（VTHRESH–VHYST））exp（–t/R（CT+CH）），取決于發(fā)生在哪個半周期。對另半周期。

　　在總周期中，應增加通過第1級和第2級的總傳播時間（tPLH+tPHL）。除非你希望電路工作在頻率，否則這些傳播時間會變得沒有意義。因此，對周期的預測只取決于無源元件值，以及它們的公差、溫度和老化系數(shù)。

　　當使用CMOS器件時（如仙童半導體公司的74VHC04），上升與下降時間取決于器件的輸出電阻以及外接元件。如果將第2級建模為一個RC電路，可以用tRISE2=tFALL2=2.2RO（CTCH/（CT+CH））+tO估計出10%至90%指數(shù)上升與下降時間，其中tRISE2為上升時間，tFALL2為下降時間，RO為器件的輸出電阻（74VHC04為30Ω），而tO為無負載上升時間（此種情況下，VHC04為4.5ns）。于是，總周期為：t1+t2+2（tPLH+tPHL）+tRISE2+tFALL2.

　　另外要注意的是，時序依賴于反相器的輸出電壓，以及該區(qū)間內(nèi)閾值電壓的位置。例如，一款輸出電壓接近電壓軌的CMOS器件要比一個TTL（晶體管-晶體管邏輯）器件更可預測。

　　對于較高頻率，必須采用較小的電阻值、較小的時序電容值，或兩者都是較小值。對于可預知的結(jié)果，時序電容值應比反相器輸入電容小10倍，對一只典型CMOS器件，輸入電容值在3pF至10pF范圍內(nèi)，R不應小到會明顯拉低輸出。作為一種預防性措施，遲滯電容值應不超過時序電容值，因此就不會超過第1級的輸入電壓。如果遲滯電容值要比時序電容大得多，則閾值電壓與遲滯電壓會分別達到7.5V和-2.5V.74VHC04器件用5%電阻和20%電容驗證了該計算。

圖5,電路在低頻性能良好。

　　表1匯總了各個結(jié)果， 它們處于元件公差范圍內(nèi)。圖5給出了一個典型的輸入與輸出圖。

　　因為有串聯(lián)電阻，流過電容的電流總是有限值，所以電容上的電壓差不能發(fā)生突變，一頭的電壓下降，另一頭必然會立即跟著下降。器件的輸入電阻都很大，可以視為開路，注意到反相器電阻兩端總有電壓差，因此會有電流，這個電流會流進電容給電容充電。這和RC濾波器、積分器之類的原理差不多

　　優(yōu)點：

　　1.頻率長期穩(wěn)定性極高；

　　2.Q值高，帶寬很窄，有利于選頻；

　　3.體積小，適應現(xiàn)在集成工藝要求

　　4.價格便宜，電路簡單。

　　缺點：

　　1.頻率不能調(diào)節(jié)，不能簡單用于可變調(diào)諧電路

　　2.頻帶窄，不能用于寬帶濾波