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全新的深亞微米IC設計方法

出處:鄭赟 北京中電華大電子設計有限責任公司CAD部 發(fā)布于:2011-07-22 20:33:59

  眾所周知,傳統(tǒng)的IC設計流程通常以文本形式的說明開始,說明定義了芯片的功能和目標性能。IC設計,Integrated Circuit Design,或稱為集成電路設計,是電子工程學和計算機工程學的一個學科,其主要內容是運用的邏輯和電路設計技術設計集成電路(IC)。IC設計涉及硬件軟件兩方面知識。硬件包括數(shù)字邏輯電路的原理和應用、模擬電路、高頻電路等。軟件包括基礎的數(shù)字邏輯描述語言,如VHDL等,微機匯編語言及C語言。作為初學者,需要了解IC設計的基本流程:基本清楚系統(tǒng)、前端、后端設計和驗證的過程,IC設計同半導體物理、通信或多媒體系統(tǒng)設計之間的關系,了解數(shù)字電路、混合信號的基本設計過程。邏輯設計者用Verilog或VHDL語言寫每一塊的RTL描述,并且仿真它們,直到這個RTL描述是正確的。

  RTL電路描述介于行為描述和邏輯門級描述之間,既具有電路功能的信息,又能體現(xiàn)電路具體結構實現(xiàn),這使得基于結構的電路測試方法有可能在RTL級進行推廣或改造,同時,行為級的測試方法也有可能與基于結構的測試方法相結合,產生新的測試方法。

  電路設計完成之后,開始版圖的實現(xiàn)。接下來,DRC、ERC、LVS等被用來驗證版圖,后版圖時序驗證工具用從版圖提取出來的電阻、電容數(shù)據(jù)來驗證設計是否滿足時序目標。如果電路設計階段的時序評估不,電路必須被修改,再執(zhí)行綜合到版圖的過程。

圖1:延遲依賴門的增益,而不是它的寄生參數(shù)。

    在電路設計過程中,的挑戰(zhàn)是滿足時序說明,如果時序沒有問題,電路設計將變得更加容易。目前的EDA界都意識到這一點:要想在版圖階段達到時序收斂,通常應該在綜合階段就考慮更多的物理設計信息。

  其實這樣做并不是從本質上解決問題,因為在綜合階段的時序評估還是基于負載模型的理論,只是現(xiàn)在的模型比以前的要一些,但是與實際的版圖提取的負載還是有誤差,因此得到的時序收斂并不一定可信。不過這些方法可以減少迭代次數(shù),但不能真正消除迭代。

  為了預知時序,其實應該建立一個非常可信的延遲預算模型,也就是這個模型的延遲預算應該非??尚拧?尚攀侵溉绻A知電路1比電路2要快,那么實際中確實是這樣。但是基于負載模型的方法不是非常可信,它需要的寄生參數(shù)信息,但在版圖沒有得到的情況下,你是不可能有的寄生參數(shù)信息的。

  Logical Effort方法采用的延遲預算模型就是這樣的一個模型,Logical Effort方法是評估CMOS電路延遲的一個簡單方法。該方法通過比較不同邏輯結構的延遲來選擇快的候選者,該方法也能指定一條路徑上適當?shù)倪壿嫚顟B(tài)數(shù)和邏輯門的晶體管大小。

  Logical Effort延遲模型

  建模延遲的步是隔離特定的集成電路加工工藝對延遲的影響。通常,把延遲表示為兩項之積:一項是無單位的延遲d,另一項是特征化給定工藝的延遲單位τ。

  延遲d通常由兩部分組成,一部分叫本征延遲或寄生延遲,表示為p,另一部分正比于門輸出端負載的延遲,叫做effort延遲,表示為:d=f+p。

  effort延遲依賴負載和邏輯門驅動負載的特性。我們引入兩個相關的項:Logical Effort捕捉邏輯門的特性,electrical effort特征化負載的影響。

  Logical Effort捕捉邏輯門的拓撲結構對它產生輸出電流的影響,它獨立于晶體管的大小。electrical effort即門的增益,描述門的電子環(huán)境怎樣影響它的性能。增益的簡單定義是:g=Cout/Cin。其中Cout為邏輯門輸出端負載的電容,Cin為邏輯門輸入端的電容。

圖2:三種不同的邏輯門拓撲結構。

    我們可以如圖1所示那樣來計算延遲d。

  少的邏輯狀態(tài)不一定能產生快的電路延遲。對于反向器組成的電路,Sutherland指出:快的反向器結構發(fā)生在Cout=3.6Cin。當Cout=3.6Cin時,我們稱反向器的負載為完美負載。我們可以定義門的增益為Gain=Cout/,并把它作為電路單元的延遲預算。

  全新的IC設計方法

  在進行IC設計過程中,重要的就是怎樣快速從RTL得到GDSⅡ。利用Logical Effort理論,我們將建立新的IC設計方法。

  首先對綜合庫進行分析。庫中每個功能的cell會有不同的尺寸表示不同的驅動能力。我們將為這一族cell建立一個抽象cell,叫做supercell。這個supercell有固定的本征延遲和可變的大小。在對庫進行分析時,我們會給supercell的延遲再加上一個可變延遲。通常庫分析得到的可變延遲是每個cell驅動它的完美負載得到的延遲。

  supercell庫建好之后,利用這個庫和RTL代碼、設計限制等就可以進行綜合了。綜合的關鍵部分就是創(chuàng)建好的邏輯結構。任何設計都有許多種功能正確的電路結構。綜合算法的目標是發(fā)現(xiàn)的電路結構來滿足時序目標。

  例如一個非常簡單的庫,僅僅由五個基本邏輯門組成,讓我們進一步假設反向器有8個版本,而其它的門有4個版本,不同的版本表示不同的尺寸,能提供不同的驅動能力。RTL這個功能可以用不同的邏輯門拓撲結構來實現(xiàn),如圖2所示的三種結構。

圖3:從RTL到GDSⅡ實現(xiàn)的主要步驟。

    利用supercell代替庫中的門,gain-based的綜合只需要快速評估a、b、c三個結構,gain等于1的結構就能提供的時序解決方案,而傳統(tǒng)的方法對于電路a就有128種選擇。因此gain-based的綜合時間將大大減少,并且非常簡單,比傳統(tǒng)的綜合方法有更大的處理容量。

  延遲計算就是利用上一節(jié)的gain-based的方法?;趕upercell,時序優(yōu)化設計完成之后,然后固定時序,使得接下來的布局布線與邏輯綜合操作在同一平面內。

  綜合之后,首先利用supercell來布局,同時確保指定的時序保持常數(shù)。線的負載是基于網的全局布線結構來決定。基于每個supercell看到的實際負載,動態(tài)調整supercell的大小來滿足時序預算。supercell的大小調整好之后,就把supercell用庫中有適當驅動能力的cell來代替。這里關鍵的一點就是可能大小的門被選取來滿足時序預算。因而會減少空間競爭,減少功耗和信號完整性問題。

  利用詳細的布線工具來調整線寬和線的間距,以保持原始的時序預算,并且確保信號完整。當然,在整個物理綜合過程中,我們也會利用DRC、ERC、LVS等工具來驗證各個階段的版圖,也會利用參數(shù)提取工具在各個階段來提取參數(shù),為supercell的大小調整以及supercell的gain調整提供信息。

  利用supercell技術,從RTL到GDSⅡ的實現(xiàn)的幾個主要步驟見圖3。

  這就是基于Logical Effort理論的新設計方法,特別適合于設計快速的CMOS電路。在這里我們只簡單描述了它的設計思想。


  
關鍵詞:全新的深亞微米IC設計方法

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