SJ/T 11393-2009 半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范
出處:njliu 發(fā)布于:2011-06-09 11:55:59
引言
本空白詳細(xì)規(guī)范 半導(dǎo)體光電子器件的一系列你看看詳細(xì)規(guī)范這一,并應(yīng)與下列標(biāo)準(zhǔn) 起使用。
GB/T 2423.1 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫(idt IEC 60068-2-1)
GB/T 4589.1--2006 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范(IEC 60747-10:1991,IDT)
GB/T4937 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法(idt IEC 61749)
GB/T 12565-1990 半導(dǎo)體器件 光電子器件分規(guī)范
SJ/T 11394-2009 半導(dǎo)體發(fā)光器件測(cè)試方法
IEC 60191-2 半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn) 第2部分:尺寸
全文PDF:SJ_T 11393-2009 半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范.rar
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET在新能源設(shè)備中的應(yīng)用趨勢(shì)2026/3/18 11:26:45
- 電源模塊EMI問題及解決方案2026/3/18 11:22:02
- 高速連接器材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)2026/3/18 11:10:04
- MOSFET在逆變器中的應(yīng)用分析2026/3/17 11:15:58
- 隔離電源與非隔離電源的區(qū)別2026/3/17 11:10:56









