LTC4446:N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器
出處:chunyang 發(fā)布于:2011-02-21 17:30:11
描述
LTC4446 是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。LTC4446 用于頂端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 2.5A 的峰值輸出電流,而其下拉電路則具有 1.2Ω 的輸出阻抗。用于底端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 3A 的峰值輸出電流,而其下拉電路則具有 0.55Ω 的輸出阻抗。
LTC4446 針對兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。
LTC4446 包含欠壓閉鎖電路,用于在器件啟動(dòng)時(shí)停用外部 MOSFET。
LTC4446 采用耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝。
特點(diǎn)
●自舉電源電壓高至 114V
●寬 VCC 電壓:7.2V 至 13.5V
●2.5A 峰值頂端柵極上拉電流
●3A 峰值底端柵極上拉電流
●1.2Ω 頂端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻
●0.55Ω 底端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻
●5ns 頂端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
●8ns 頂端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
●3ns 底端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
●6ns 底端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
●可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET
●具欠壓閉鎖功能
●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝
封裝

典型應(yīng)用


應(yīng)用
●分布式電源架構(gòu)
●汽車電源
●高密度電源模塊
●電信系統(tǒng)
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號(hào)調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22









