在這部分展示一個(gè)實(shí)例，適配器采用FSDM311，工作規(guī)范AC85～265V的輸入電壓范圍。10W 輸出功率、5V輸出電壓、67 kHz的開關(guān)頻率。此時(shí)，RCD吸收回路選擇1 nF吸收電容，480kΩ吸收電阻，圖1示出波形。

　　漏電壓（Vds 200V／p）、電源電壓（VCC 5V／p）、反饋電壓（Vfb 1V／p）、漏電流（Id 0.2A/p）按下面次序，內(nèi)部MOSFET電壓應(yīng)為675V，數(shù)據(jù)表中給出為 650V。超出此值有二個(gè)原因，其一是變壓器設(shè)計(jì)不當(dāng)；其二是吸收回路設(shè)計(jì)不當(dāng)，1 nF 電容和480k0電阻的穩(wěn)態(tài)波形如圖2 所示，給出比較正確的結(jié)果。

　　如上所述，為可靠性，穩(wěn)態(tài)時(shí)電壓應(yīng)為MOSFET耐壓的80%，即520V。圖顯示為570V（AC 256V）。當(dāng)然，VIN＋nVo為（375V＋15×5V） ＝450V，顯示變壓器匝數(shù)比為15，此是合理的值。因此，吸收回路應(yīng)重新設(shè)計(jì)如下：

圖1 1nF電容和480kΩ電阻的起動(dòng)波形

圖2 1nF電容和480kΩ電阻的穩(wěn)態(tài)波形

　　讓Vsm為nV0的兩倍，即150V。LIK1及Ipeak為150μH和400mA，于是求出:

　　電阻功耗計(jì)算如下：

　　，選擇Csn為10nF，Rsn為1.4kΩ／3 W。測(cè)試下來，MOSFET的電壓應(yīng)力為J 593V（起動(dòng)時(shí)）和 524V（穩(wěn)態(tài)），分別為所選FSDM311耐壓的91.2％和80.6%合格。10nF電容和14kΩ電阻的起動(dòng)波形如圖3所示，穩(wěn)態(tài)波形如圖4所示。

圖3  10nF電容和14kΩ電阻的起動(dòng)波形