近日，三星電子(SAMSUNG)有限公司宣布推出業(yè)界20納米級(nm)NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32Gb MLC NAND產(chǎn)品采用技術(shù)，擴(kuò)展三星電子公司的存儲器卡解決方案,用于智能手機(jī)、高端IT應(yīng)用和高性能存儲器卡。

　　與30納米級MLC NAND相比，三星電子的20納米級MLC NAND提高50%的生產(chǎn)水平?；?0納米級、8GB和更高密度、SD卡的寫入性能比30納米級 NAND提高30%，器件提供10級額定速度(讀取速度為20MB/s，寫入速度為10MB/s)。通過采用工藝、設(shè)計和控制器技術(shù)，與30納米級NAND相比，三星電子還獲得安全可靠的性能。

　　用20納米級的存儲器卡將提供4GB-64GB的密度。三星電子及時推出了其高性能優(yōu)質(zhì)NAND，支持高密度智能手機(jī)、高端IT應(yīng)用和高性能存儲器卡的不斷增長的存儲器要求。