引言：

　　近年來，手機和，數(shù)碼相機和多媒體個人播放器（PMP）等便攜式終端產(chǎn)品在范圍內(nèi)持續(xù)持續(xù)升溫，同時應(yīng)對消費者需求的新功能也層出不窮，功能的增多勢必導(dǎo)致系統(tǒng)耗電量的提升，為了滿足更低功耗、更小尺寸的要求，電源管理IC的選擇在便攜產(chǎn)品設(shè)計中成為至關(guān)重要的因素。據(jù)Databeans預(yù)測電源管理芯片已經(jīng)成為半導(dǎo)體市場的亮點如圖1。特別是手機為首的手持終端設(shè)備趨向于低電壓化，波紋噪聲等的處理和輸出電壓的要求越來越高，這也成為困擾整機設(shè)計師和電源IC設(shè)計師們的重要課題。富士通常年以來致力于電源IC的研發(fā)，已經(jīng)成功推出了數(shù)百款的電源IC產(chǎn)品。在日本的DC/DC市場份額名列前茅。多年來在被許多的廠商大量采用。特別是，富士通在面向便攜式產(chǎn)品的電源管理IC的開發(fā)擁有豐富的經(jīng)驗，常年為日本國內(nèi)各大數(shù)碼相機,數(shù)碼攝像機以及手機廠商提供高品質(zhì)的電源管理芯片。為了滿足便攜式終端對電源的需求，位與日本的富士通電源研發(fā)中心 推出了面向便攜式產(chǎn)品的“MB39C014”（單通道，內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器）和MB39C015（雙通道，內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器）這兩款的產(chǎn)品。MB39C014和MB39C015為內(nèi)置MOS管，每個通道輸出電流高達800mA, 擁有低噪聲，高啟動響應(yīng)，電源啟動順序控制等特點，特別適合PMP,PND，數(shù)碼相機，手機，硬盤，DVD驅(qū)動器，EVD驅(qū)動器等產(chǎn)品

　　圖1：電源管理市場持續(xù)升溫。

　　富士通MB39C014（單通道）和MB39C015(雙通道)的工作頻率設(shè)定在固定的2MHz（MB39C014亦可設(shè)定3.2MHz），通過同步整流方式，不但轉(zhuǎn)換效率高，也由于搭載了高性能內(nèi)置MOS管，非常有效的降低了波紋噪音和開關(guān)噪音的影響。并且由于內(nèi)置了電壓監(jiān)測電路，可選擇監(jiān)測電源電壓或者輸出端電壓。電流控制模式與電壓控制模式相比，電流控制模式在負載變化時的瞬態(tài)響應(yīng)性能非常。而且相位補償時也無需外置任何電阻或電容，大大減少了IC周圍零部件數(shù)量，幫助設(shè)計人員減少設(shè)計工序，有效的降低BOM成本。而且由于采用了電流控制模式，持續(xù)監(jiān)測電流狀況，無需再內(nèi)置軟啟動和短路保護等功能。通過控制DAC可以對輸出電壓進行設(shè)定，也可通過電阻分壓來調(diào)節(jié)內(nèi)部電壓以達到設(shè)定數(shù)出電壓的目的。另外MB39C015還內(nèi)置了溫度保護功能，UVLO等保護功能。非常特別適合數(shù)碼相機，手機，硬盤，PMP,PND，DVD驅(qū)動器，EVD驅(qū)動器等產(chǎn)品

　　圖2：產(chǎn)品規(guī)格。

　　1.功能說明

　　本產(chǎn)品主要由7大主要功能單元組成

　?、?PWM邏輯控制單元

　　工作時,內(nèi)置振動發(fā)生器(方形波發(fā)生電路)產(chǎn)生2MHz的工作頻率，通過讓內(nèi)置的Pch/Nch MOSFET進行同步整流來進行控制。

　　該單元考慮了同步整流所導(dǎo)致的貫穿電流的可能性，并對此作了防護措施。

　?、?Iout合成單元

　　檢測內(nèi)置的Pch MOS FET流入外部電感的電流(ILX)。

　　將ILX的峰值電流IPK進行I-V轉(zhuǎn)換，將轉(zhuǎn)換后的VIDET和誤差放大器的輸出值進行比較，使PWM邏輯控制單元控制Pch MOS FET “OFF”。

　?、?Error Amp 相位補償單元

　　將VREF等的標準電壓和輸出電壓進行比較。MB39C015內(nèi)置了相位補償電路，已將IC調(diào)整到工作狀態(tài)。因此，完全不需要考慮相位補償和為相位補償外置器件等問題。

　?、?VREF單元

　　高的標準電壓產(chǎn)生BGR(Band Gap Reference)電路。輸出電壓為1.30V(標準)。

　?、?VDET單元

　　用來監(jiān)測VDD端口。通常XPOR端口通過外置電阻作為VDD端口的pull-up來使用，當(dāng)VDET端口的電壓達到0.6V的時候輸出狀態(tài)為“H”。

　?、?UVLO

　　防止低電源電壓狀態(tài)時誤工作的單元。低電源電壓時輸出狀態(tài)為“Hi-Z”

　?、?保護電路單元

　　內(nèi)置過熱保護電路單元。當(dāng)芯片溫度達到或超過135度時候，自動將SW FET的Nch和Pch同時設(shè)定為“OFF”。

　　雖然沒有特地設(shè)置專用的過電流保護單元，但由于該芯片采用的是電流控制模式，隨時監(jiān)測峰值電流，進而進行控制。

　　圖3. MB39C014 方框圖。

　　特點

　　1．波紋噪聲小

　　由于采用PWM模式，波紋波形相對較穩(wěn)定。因此無需配備許多旁路電容（Bypass-capacitor）。[請參照圖4]

　　2. 啟動響應(yīng)時間快

　　可以大大的縮短系統(tǒng)啟動所需時間。[請參照圖5]

　　3. 可以設(shè)定每個輸出通道啟動時間

　　不但可以通過CTL信號來控制每個通道的啟動的ON/OFF，還可以通過設(shè)定電容和電感的常數(shù)來調(diào)整每個通道啟動所需的時間。

　　4. 可以控制電源的啟動順序（sequence）

　　利用VDET的功能，檢測標準電壓，通過CTL的控制可以調(diào)整輸出電壓的順序。

　　5. 多重方式設(shè)定輸出電壓

　　通過DAC或者外部電阻來調(diào)整VREFIN端口的附加電壓，可以通過下列等式來設(shè)定輸出電壓。

　　Vout= 3*VREFIN

　　這項技術(shù)也被用于手機中Power AMP專用電源當(dāng)中。

　　圖4：開關(guān)波形(PWM模式) 。

　　圖5：CTL端口響應(yīng)特性。

　　向大家介紹MB39C014和MB39C015的應(yīng)用實例