Toshiba美國電子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先進封裝的30V MOSFET系列。這些新器件用于同步DC-DC轉換器中，如移動和臺式電腦，服務器，游戲機和其它電子器件中，需要輸入電壓轉換的子系統(tǒng)，如處理器，存儲器和其它負載點器件。由Toshiba開發(fā)的器件采用第五和第六代UMOS V-H和UMOS VI-H工藝技術，通過低柵極電荷(QSW)實現(xiàn)低側MOSFET的低導通電阻和高側MOSFET的快速轉換速度。薄型，緊湊型，3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON先進封裝相比于廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝，降低了64%的貼裝面積要求，同時具有同等功耗1.9W。

　　新的產(chǎn)品系列包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSFET和肖特基二極管融合在一個單一芯片上，提供了低電感結構，從而提高功效。此產(chǎn)品系列提供了一系列特性使設計者符合各種系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2milliohms (mΩ)，輸入電容從990~2200 picofarads (pF) (典型值)，反向傳輸電容(Crss)從54~140pF(典型值)。

　　價格和供貨情況

　　Toshiba MOSFET系列的產(chǎn)品樣品采用TSON封裝，現(xiàn)可供貨，現(xiàn)已開始大規(guī)模生產(chǎn)。樣品數(shù)量起價$0.35。