Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有訪問速度快、幾乎無限次的讀寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。該器件與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 引腳兼容，主要針對工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)RAID存儲解決方案、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)，以及各種基于SRAM的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

　　Ramtron 市場推廣經(jīng)理Mike Peters 稱：“這款8-Mb F-RAM 并口存儲器，以及我們近發(fā)布的4-Mb FM22LD16，都是設(shè)計(jì)用來滿足客戶在寫入密集型數(shù)據(jù)應(yīng)用中對更高存儲容量的需求。這兩款產(chǎn)品具引腳兼容特點(diǎn)，易于實(shí)現(xiàn)存儲容量升級。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用FM23MLD16，在與TSOP32 封裝相同大小的PCB空間上可將F-RAM 密度提高7倍。”

　　FM23MLD16產(chǎn)品主要特性

　　FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實(shí)現(xiàn)存取，訪問時(shí)間為60ns，一個(gè)訪問周期為115ns。該器件以 ‘無延遲’ (NoDelay?)的特點(diǎn)按照總線速度進(jìn)行讀寫操作，擦寫壽命至少為1E14 (100萬億) 次，并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。

　　相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM)，F(xiàn)M23MLD16無需電池即可進(jìn)行數(shù)據(jù)備份，性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案，F(xiàn)M23MLD16無需象電池備份的 SRAM那樣需要與電池相關(guān)的返工步驟，而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動(dòng)能力，使F-RAM成為要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。FM23MLD16 包含低電壓檢測功能，當(dāng)電源電壓低于臨界閾值時(shí)，便會(huì)阻止對存儲器的訪問。從而防止存儲器在這種情況下出現(xiàn)的不當(dāng)訪問，避免數(shù)據(jù)破壞。

　　此外，F(xiàn)M23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁寫模式，能以高達(dá)33MHz的速度進(jìn)行8字節(jié)并發(fā)(Burst)讀寫操作。 FM23MLD16器件的讀/寫工作電流為9mA，待機(jī)模式下典型電流值僅為180?A，而在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。