1  應(yīng)用智能型功率模塊勢在必行

　　功率模塊有助于大功率應(yīng)用實現(xiàn)可靠的集成化系統(tǒng)布局。智能型功率模塊將分立功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動器集成到一個封裝中，能夠減少在設(shè)計上花費的時間和精力，保證其電器產(chǎn)品擁有可靠的功率電子部件。這種集成能夠縮短產(chǎn)品上市時間。

　　在電力電子技術(shù)中，開關(guān)電源占有重要地位，而現(xiàn)代電力電子技術(shù)的繁榮與開關(guān)電源（特別是高頻開關(guān)電源）的發(fā)展緊密聯(lián)系在一起，高頻化是現(xiàn)代電力電子技術(shù)焦點之一。但現(xiàn)代高頻開關(guān)電源應(yīng)用空間迅速擴展，都開始將注意力轉(zhuǎn)向以高頻變換為代表的現(xiàn)代電力電子技術(shù)，許多新的應(yīng)用領(lǐng)域中其熱點也陸續(xù)發(fā)展并選中高頻開關(guān)電源(DC/AC)。

　　在消費電器和一般工業(yè)應(yīng)用的低功率電機驅(qū)動領(lǐng)域中，采用轉(zhuǎn)模(transfer-molded)封裝的智能功率模塊是目前的發(fā)展趨勢。

　　在上述這些應(yīng)用領(lǐng)域中很重要的是要求高可靠的高頻大功率的開關(guān)電源。根據(jù)現(xiàn)代電力電子技術(shù)關(guān)于高頻電源電路應(yīng)集成化、智能化及模塊化的又一特點，縱觀目前市場，應(yīng)用智能型功率模塊是勢在必行。

　　如今智能功率模塊涵蓋0.05kW至7kW的功率范圍，具有緊湊性、功能性、可靠性以及成本效益。通過使用銅直接鍵合(DBC)基底的轉(zhuǎn)模封裝，不僅能夠提高功率密度，并且在單一封裝中便可實現(xiàn)三相逆變器、SRM驅(qū)動器和功率因數(shù)校正等各種電路拓撲。本文將從智能功率模塊的技術(shù)(IBGT技術(shù))及其應(yīng)用作分析介紹。

　　2  智能功率模塊的技術(shù)

　　2.1新的IBGT技術(shù)

　　功率模塊系列集成了新的IBGT技術(shù)，達到了產(chǎn)品的額定值和工業(yè)標準要求的特性，開關(guān)性能和應(yīng)用強韌性十分優(yōu)異。因為模塊化系統(tǒng)特性，如DBC襯底、塑封設(shè)計、芯片布線和凝膠涂料，該解決方案在任何環(huán)境下都有的性能表現(xiàn)。

　　由于IGBT技術(shù)的進步，智能功率模塊（SPM）系列一直不斷地經(jīng)歷著升級。隨著亞微米設(shè)計規(guī)則的引入，不僅芯片尺寸減小的速度加快，同時電流密度大幅度地增加。一代的IGBT芯片實現(xiàn)了關(guān)斷損耗和導(dǎo)通壓降之間更好的性能平衡關(guān)系，同時確保擁有足夠的SOA。圖1表示IGBT技術(shù)方面的改進。顯然，V5 IGBT具有出色的器件性能，關(guān)斷損耗與導(dǎo)通壓降均小，從而可以在更小的封裝中增大功率容量。

　　圖1 IGBT技術(shù)方面的改進

　　低功耗運作常常需要更快的開關(guān)速度，這造成了恢復(fù)電流的增加和dv/dt的升高，會帶來較大的電磁干擾(EMI)、高浪涌電壓和電機泄漏電流。在SPM系列中，已經(jīng)考慮了EMI問題，并優(yōu)化了柵極驅(qū)動的設(shè)計，犧牲高開關(guān)速度以控制集成IGBT的開關(guān)速度。正是由于IGBT具有低導(dǎo)通壓降，能夠保持總體功耗不變，同時實現(xiàn)低EMI特性。此外，為了獲得更佳的ESD保護，在柵極和發(fā)射極之間使用了具有足夠的箝位電壓的多個背靠背二極管。使用集成式保護二極管，智能功率模塊都達到工業(yè)標準ESD電平。

　　2.2關(guān)于智能功率模塊的驅(qū)動器IC

　　由于成本效益的原因，高壓IC (HVIC)和低壓IC (LVIC)設(shè)計具有的必要功能，特別適合于消費電器的逆變器驅(qū)動。在設(shè)計方面的考慮：包括借助精細工藝技術(shù)減小芯片尺寸；由3V饋入微控制器直接驅(qū)動有效的“高電平”接口；低功耗；更高的抗噪聲能力；抗溫度變化的更好穩(wěn)定性等等。

　　HVIC的一個特性是內(nèi)置高電平偏移功能，如圖2所示. 能夠?qū)碜晕⒖刂破鞯腜WM輸入直接轉(zhuǎn)換至高邊功率器件。此外，使用外部充電反向電容CBS，可以采用單一控制電源VB驅(qū)動智能功率模塊。

　　圖2 高邊驅(qū)動器配置

　　另一方面，HVIC對于外部噪聲敏感，因為其信號是通過脈沖信號和SR鎖存器進行轉(zhuǎn)換的。對于這種脈沖驅(qū)動HVIC，高dv/dt開關(guān)驅(qū)動IGBT是危險的開關(guān)類型。假設(shè)從漏極看LDMOS寄生電容是CM，高邊IGBT的導(dǎo)通dv/dt是dVS/dt，CM必須采用大電流充電，才能使LDMOS漏極電壓跟隨快速變化的VB電壓，該電壓通過自舉電容CBS與VS耦合。大充電電流在R1和R2上引起過大的壓降，從而誤觸發(fā)SR鎖存器。

　　為了克服噪聲敏感性，開發(fā)了具有獨特拓撲的噪聲消除器，如圖2所示。V/I轉(zhuǎn)換器將電平變換器的輸出轉(zhuǎn)換成電流信息。對于具有高dv/dt的共模噪聲，V/I轉(zhuǎn)換器會給出相同的輸出。但是，對于正常運作，V/I轉(zhuǎn)換器輸出是互不相同的，因為兩個LDMOS中只有一個工作于正常的電平轉(zhuǎn)換器運作狀態(tài)。這樣可以方便地確定V/I轉(zhuǎn)換器的輸出是否是由于噪聲引起。一旦噪聲消除器識別出有共模噪聲侵入，它便吸收V/I轉(zhuǎn)換器的電流輸出。然后，V/I轉(zhuǎn)換器重建電壓信號.這個信號來自V/I轉(zhuǎn)換器的電流輸出，在VB和VS電源軌之間擺動。，經(jīng)放大的信號送到SR鎖存器。

　　V/I和I/V轉(zhuǎn)換的另一個優(yōu)點是允許負VS電壓不再受電路的閾值電壓支配。由于其獨特的拓撲，HVIC展示了出色的噪聲免疫能力，能夠耐受高達50V/ns的高dv/dt噪聲，并且擴展負電壓運作范圍，在VB=15V左右達到VS=-10V。

　　LVIC負責所有的保護功能及其向微控制器的反饋。它的保護電路檢測控制電源電壓、LVIC溫度以及帶外部并聯(lián)電阻的IGBT集電極電流，并在錯誤狀態(tài)中斷IGBT的操作。有關(guān)的保護應(yīng)該不受溫度和電源電壓的影響。

　　而錯誤信號是用于通知系統(tǒng)控制器保護功能是否已經(jīng)激活。錯誤信號輸出是低電平有效的集電極開路配置。它一般通過上拉電阻被拉升至3.3V到15V。當錯誤發(fā)生時，錯誤線拉低，低邊IGBT的所有柵極被中斷。如果錯誤是過電流引起的，輸出則出現(xiàn)一個脈沖，然后自動復(fù)位。的低信號持續(xù)時間取決于它的應(yīng)用，例如，對于家電幾毫秒，但是在工業(yè)應(yīng)用中低信號持續(xù)時間為(1～2)倍的IGBT開關(guān)頻率。

　　具有新IBGT技術(shù)智能功率模塊的舉例見圖3所示。

　　圖3 具有新IBGT技術(shù)智能功率模塊圖

　　這個系統(tǒng)由一個功率板和一個控制板組成，兩塊板通過一個6線接口相連，確保電源與信號之間噪聲的干擾很低．功率板直接使用市電電源(因為板上裝有倍壓器，可以連接120V或220V市電)或使用外部直流電源，低壓輔助電源也安裝在功率板上，配合額定電壓高于50VDC的應(yīng)用工作。

　　而帶輸入整流半橋選件的三相逆變器，更低的通態(tài)電壓降(VCE(sat))和CRES/CIES比，超軟超快恢復(fù)反向并聯(lián)二極管工作頻率高達70kHz，新一代產(chǎn)品的參數(shù)分布公差小，單螺釘組裝，芯片上無熱點，大電流模塊可選擇負溫度系數(shù)電阻。

　　這些電路板十分適合那些需要六步通信或六個信號PWM(正弦調(diào)制)輸出的應(yīng)用領(lǐng)域，如3相交流永磁電機或無刷電機(正弦曲線驅(qū)動)控制；單相和三相UPS。

　　2.3智能功率模塊的自舉二極管技術(shù)

　　因為除了基本的三相逆變器拓撲，更多的集成是面臨的挑戰(zhàn)之一。值此自舉二極管似乎成為集成的合適器件。實際上，市場上已出現(xiàn)了數(shù)種內(nèi)置自舉二極管的產(chǎn)品，但是從技術(shù)角度來看，其方式略有不同。其中之一是使用HVIC上的高壓連結(jié)終端區(qū)域作為自舉二極管。其應(yīng)用局限于額定值在100W以下的低功率應(yīng)用，因為這種方式具有較大的正向壓降和較差的動態(tài)特性。功率在400W左右時，采用分立FRD作為自舉二極管，但是由于其封裝尺寸有限，沒有串聯(lián)電阻(RBS)，因此需要對大充電流進行特殊處理，尤其在初始的充電期間。在高于400W的應(yīng)用中，常見的應(yīng)用是將分立FRD和分立電阻進行組合(見圖2所示)。這種方式的缺點是占用空間較大和相應(yīng)的成本增高。

　　如今智能功率模塊中采用了新設(shè)計的自舉二極管，其目標是減小芯片尺寸和獲得適中的正向壓降，以得到20Ω串聯(lián)電阻的等效作用。其壓降特性等同于串聯(lián)電阻和普通FRD。借助于這種特殊自舉二極管的優(yōu)點，能夠?qū)崿F(xiàn)更多的集成同時保持的成本。

　　2.4關(guān)于智能功率模塊的封裝

　　智能功率模塊封裝是采用IC和LSI產(chǎn)品的轉(zhuǎn)模封裝技術(shù)，以改善性價比，同時提升熱循環(huán)和功率循環(huán)等封裝的可靠性。與具有塑料或環(huán)氧樹脂外殼的普通功率模塊相比，它具有相對簡單的結(jié)構(gòu)，即功率芯片和IC安裝在銅引線框架上，基底材料與框架連接，可在環(huán)氧樹脂中模塑成型。又借助現(xiàn)有的可變形基底的優(yōu)點，可在Mini-DIP智能功率模塊 封裝中實現(xiàn)600V 3A到30A的功率額定值，同時保持PCB管腳布局和價格的競爭力。這樣可以針對多種應(yīng)用提供派生產(chǎn)品，比如功率因數(shù)校正、開關(guān)磁阻電機等。

　　3  實用型全橋式DC-AC智能高頻大功率變換模塊舉例

　　該智能功率模塊(DC-AC) (見圖4所示)， 應(yīng)用美國IR公司的功率器件和貼片工藝生產(chǎn)。用戶可以簡單方便地直接利用它或其組合設(shè)計制作成各類高頻大功率開關(guān)電源。

　　3.1技術(shù)特征

　　通過圖4對該模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分析就一目了然。

　　圖4 新型DC/AC全橋式智能高頻功率模塊結(jié)構(gòu)原理圖

　?、?具有功能較強的電源管理電路（電源控制芯片），即電流型PWM及輔助保護電。

　　所謂電流型即在比較器的輸入端直接用感應(yīng)到的輸出電流信號與誤差放大器進行比較，來控制輸出的峰值電流跟隨誤差電壓變化。這種控制方式可以改善整個開關(guān)電源電壓和電流的調(diào)整率，改善整個系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)。電流型PWM還具有重選脈沖抑制電路，消除在一種輸出里出現(xiàn)兩個連續(xù)脈沖的可能性。這對于半橋電路或全橋電路組成的開關(guān)電源能否可靠工作是極為重要的。而一般電壓型PWＭ在受干擾時，常出現(xiàn)一路輸出中有兩個連續(xù)重疊脈沖，造成橋電路上下直通而燒毀功率管。電流型PWM可根據(jù)檢測電路送來的電流信號實行逐個檢測，信號大時逐個關(guān)斷，超過極全保護關(guān)斷。(此時需關(guān)機啟動，或延時3秒軟啟動。)

　?、?內(nèi)含IC驅(qū)動電路代替脈沖變壓器隔離

　　在半橋電路或全橋電路中高端和低端的驅(qū)動器是不供地的，一般采用脈沖變壓器隔離。當頻率在數(shù)Hz到數(shù)百kHz范圍內(nèi)變化時，普通的脈沖變壓器是無法勝任的。而采用IC驅(qū)動電路就不存在上述問題，它的固有死區(qū)能防止產(chǎn)生直通信號，它的圖騰柱電路能吸收橋電路的“米勒效應(yīng)”。

　　⑶ 采用全橋DC-AC變換器

　　采用性能優(yōu)良的MOSFET或IGBT，在公共接地點上伴有0.1Ω的電流取樣電阻，它能感應(yīng)到內(nèi)部任一橋路或任一橋路的外部過流、短路，將檢測信號送往保護輔助電路進行判斷調(diào)整或極限保護。并有4×1500pf電容，輸出串接1mH電感可成為零電壓開通、關(guān)斷的諧振電路(ZVS)。

　?、?應(yīng)用P1電流檢測，實現(xiàn)恒流控制

　　將流過第P1腳的電流感應(yīng)檢波取樣送至第9腳，經(jīng)過調(diào)整送至第8腳可進行恒流控制。

　?、?具有輔助電源供電流型PWM及輔助保護電路正常工作

　　由啟動電源和內(nèi)反饋電源組成，它要求電壓在20Ｖ-500V范圍內(nèi)能正常工作。(一般情況下在交流220V整流后350V-360V直流電壓下工作)。

　　由其模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析所知，它大大減少或克服了后級(DC-AC)分立組合所帶來的制作調(diào)試麻煩和大功率管被擊穿或燒毀等弊病。只需方便的使用模塊的引腳，就可實現(xiàn)功能DC-AC。

　　⑹ 外形尺寸（長寬厚）為：115mm×66mm×23mm。

　　⑺ 模塊使用時應(yīng)按裝在散熱板上。

　　3.2 DC-AC智能高頻大功率變換模塊變壓器設(shè)計公式

　　由于DC-AC模塊應(yīng)用領(lǐng)域很多，但大多數(shù)都使用到了高頻大功率變壓器，以下是設(shè)計公式和舉例。

　　式中：

　　E=U1為變壓器初級直流電；

　　N1為初級匝數(shù)；

　　f變壓器的工作頻率；

　　S磁芯的有效面積；

　　系數(shù)4.44(正弦波)或4(矩形波)。

　　3.3使用特點

　　智能功率模塊電流為20A，內(nèi)裝4個ＩGBT，L為低頻模塊工作電壓500V ，H為高頻模塊。

　　其特點為：全橋式功率輸出(內(nèi)裝IGBTX4)；工作頻率可調(diào)：L系列5 Hz-1000Hz，H系列10kHz-150kHz；輸出脈沖寬度可調(diào)，1%~85%脈沖方波；輸出電源整定可調(diào)，整定輸出脈寬值；適應(yīng)工作電壓范圍寬10V~100V(L系列)、20V~500V(H系列)；保護范圍寬；可作為驅(qū)動器進行大功率擴展；開機3秒軟啟動；輸出串接適合電感，可成為零電壓開通、關(guān)斷諧振電路(ZVS)；本模塊用來驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT時，其耦合驅(qū)動變壓器可實現(xiàn)任意脈寬驅(qū)動。

　　4 實用型全橋式DC-AC智能高頻大功率模塊應(yīng)用舉例

　　全橋式DC/AC高頻大功率變換模塊IPG(作為后級)與PF1000A-360型AC/DC功率變換模塊(作為前級) 相組合后并與高頻大功率脈沖變壓器T等一起組合而成新型模塊式高頻(22-25)kHz、 高壓(100V-120V)大功率（1000W）開關(guān)電源， 并作為超聲波發(fā)生器（或稱信號源)與換能器匹配組合成高聲高強度超聲波管道清洗機。以下對該新型高頻高壓大功率開關(guān)電源設(shè)計方案做一分析介紹。

　　4.1模塊式高頻(22-25) kHz高壓(100V-120V)大功率（1000W）高頻開關(guān)電源的設(shè)計方案

　?、?技術(shù)要求

　　輸入電壓：交流220v；輸出脈沖電壓：幅值為100v-120v、頻率f為(22-25) kHz±1%，其占空比D為0.4-0.5為可調(diào)；輸出功率:為1000W；輸出高頻大電流可采用LED數(shù)字顯示；工作頻率f可采用LED數(shù)字顯示；脈沖輸出電壓通過LC諧振電路應(yīng)在超聲波換能器二端獲得高頻(22-25) kHz高壓的正弦波。

　?、?高頻高壓大功率開關(guān)電源設(shè)計電原理框圖

　　該電原理框圖如圖5所示，具體介紹分析如下。

　　圖5 新型模塊式高頻(22~25kHz)高壓(100V~120V)大功率(1000W)開關(guān)電源圖

　　從圖5可看出該開關(guān)電源由前級IC1的PF1000A-360型AC/DC大功率變換模塊和后級IC2的DC/AC IPM-4M 模塊相連并與高頻大功率脈沖變壓器T等三大部分一起組合而成， 即成為超聲波管道清洗機的信號源(超聲波發(fā)生器)。

　?、?PF-1000A-360型AC-DC大功率變換模塊特性做一簡介

　　① 模塊PF-1000A-360型AC-DC變換模塊技術(shù)指標：其輸入電壓為交流170V-265V，而輸出電壓為直流360V；輸出為直流電流2.8A-4.2A;輸出功率為1008W-1512W；典型浪涌電流60A; 功率因素為95%；輸出電壓為±2%。

　?、?模塊的特點: 可實現(xiàn)功率因素和諧波校正，效率高達95%以上。帶有過壓保護、過熱保護和輸入浪涌保護等保護電路。模塊內(nèi)部將功率電路和控制電路集合在一起，使用起來非常方便。其R1—外接浪涌限流電阻，用它可以限制電源剛接通時的浪涌電流，若不接，則模塊不應(yīng)正常工作 實際上R1(4.2Ω/2W)應(yīng)與F3溫度保險絲(250V 2A 130℃) 相串接而成(見圖4所示)。

　　外形尺寸（長×寬×厚）為：146mm×86mm×125mm。

　　模塊使用時應(yīng)按裝在散熱板上。

　　4.2大功率高壓(100V~120V)高頻(22~25kHz)正弦波的實現(xiàn)

　　當大功率脈沖變壓器T次級N2輸出的100V~120V的脈沖波電壓加到LC諧振電路( 其L為可調(diào)高頻電感線圈，C為超聲波換能器的等效電容，由此則組成LC諧振器，見圖4右上角虛線所示)，通過調(diào)整高頻電感線圈L可使諧振器得到串聯(lián)諧振，其諧振頻率f0為換能器固有頻率，并在電容C(換能器)兩端將獲得諧振后的高壓高頻(22-25)kHz正弦波，見圖4右上角所示。以上整個過程實現(xiàn)了從AC-DC再從DC-AC高頻(22~25) kHz、 高壓(100V~120V) 大功率(1000W) 的輸出。