我們在使用USB設(shè)備時通常都采用熱插拔，此時存在靜電放電的隱患。這篇應(yīng)用說明闡述了怎樣使用瞬態(tài)抑制二極管陣列保護(hù)USB設(shè)備免受ESD影響。

　　雖然至今為止在USB 1.1和USB 2.0的規(guī)范中并未要求ESD防護(hù)，但USB元件的可熱插拔性使它成為靜電放電敏感元件，因此對所有USB端口實施ESD防護(hù)是極其重要且必需的。

　　隨著現(xiàn)代社會的飛速發(fā)展，我們對電子設(shè)備的依賴與日俱增.現(xiàn)代電腦越來越多的采用低功率邏輯芯片，由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制，使這些邏輯芯片對ESD非常敏感。大多數(shù)USB集成電路都是以CMOS工藝為基礎(chǔ)來設(shè)計和制造的，這導(dǎo)致它們對ESD造成的損害也很敏感，另外，USB端口是熱插拔系統(tǒng)，極易受到由用戶或空氣放電造成的ESD影響。用戶在插拔任何USB外設(shè)時都可能產(chǎn)生ESD。在距離導(dǎo)電面的幾英寸的位置可產(chǎn)生空氣放電。靜電可以損害USB接口，造成USB集成電路故障，糟糕的是會在電子系統(tǒng)中產(chǎn)生數(shù)據(jù)位重影。這些損害和故障造成電子設(shè)備的"硬性損傷"或元器件損壞。雖然對于硬性損傷我們可以很容易地更換失效的元器件并使系統(tǒng)重新納入正軌，但是，假如發(fā)生了“軟性損傷”(CMOS元件性能降級)，此時系統(tǒng)會不斷產(chǎn)生不規(guī)則的數(shù)據(jù)位，要花費數(shù)小時來進(jìn)行故障排查，并且依靠重復(fù)測試也很難發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)異常，因此針對USB元件的ESD防護(hù)已經(jīng)迫在眉睫。

　　ESD元件不僅要符合以上所述的ESD業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，還牽涉使用能在高速數(shù)據(jù)傳輸情況下工作的先進(jìn)半導(dǎo)體器件。因此保護(hù)串行端口的傳統(tǒng)方法在USB應(yīng)用中將會過時或者無效。

　　了解USB元件的ESD防護(hù)本質(zhì)，有助于明確針對USB應(yīng)用的半導(dǎo)體器件所必需的特性：

　　1. 低電容(<5pf)，以減少高速速率下(480Mbps, USB 2.0)的信號衰減。

　　2. 快速工作響應(yīng)時間(納秒)，可以在ESD脈沖的快速上升時間內(nèi)保護(hù)USB元件。

　　3. 低漏電電流，以減少正常工作下的功率能耗。

　　4. 穩(wěn)固耐用，在反復(fù)性的ESD情況下仍然完好無損。

　　5. 集成度高，封裝面積小。

　　全新低電容瞬態(tài)抑制二極管陣列(NUP4201DR2器件)可用于USB 2.0或者USB 1.1元件的ESD防護(hù)，因此本文詳細(xì)描述了它的使用方式與前景。