日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已有的光耦產品線。此次發(fā)布的VO3120和VO3150A的輸出電流分別為2.5A和0.5A，具有寬的工作電壓和很高的環(huán)境工作溫度，其低功耗特性能夠實現(xiàn)更好的熱管理，以及在馬達驅動、電磁爐、電源和其他高電壓應用中實現(xiàn)更靈活的設計。

　　VO3120和VO3150A都帶有一個與集成電路光學耦合的LED，功率輸出級的操作電壓范圍是15V～32V，輸出電流分別可達2.5A和0.5A。新器件的電壓和電流使其適合直接驅動電壓等級為800V的IGBT，VO3120可驅動電流為50A的IGBT，VO3150A可驅動電流為20A的IGBT。驅動器的操作電壓可達32V，是目前業(yè)界的，這樣VO3120和VO3150A可以驅動通常需要雙面電源的更大模塊，讓設計者在挑選功率器件時有更大的選擇余地。

　　兩款驅動器的環(huán)境工作溫度可達+110℃，設計者可以把驅動器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散熱器，從而簡化熱管理。2.5A的低功耗也有助于減小功率和散熱。Vishay提供的熱模型可幫助設計者進行熱仿真。

　　VO3120和VO3150A均提供無鉛、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封裝。這兩款器件現(xiàn)可提供樣品，將于2009年6月正式量產，大宗訂貨的供貨周期為四至六周。