美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
出處:edanzg 發(fā)布于:2009-11-05 10:11:57
美光科技股份有限公司日前宣布,該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合,生產(chǎn)出了市場(chǎng)上的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應(yīng)用的特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品,預(yù)計(jì)于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合產(chǎn)品以當(dāng)今移動(dòng)設(shè)備的主流密度規(guī)格為目標(biāo),不過,隨著移動(dòng)市場(chǎng)集成更多復(fù)雜的多媒體功能,美光還可靈活地支持更高密度,可提供8Gb NAND和8Gb LPDDR。請(qǐng)?jiān)L問美光創(chuàng)新博客,詳細(xì)了解美光多芯片封裝新產(chǎn)品,以及業(yè)內(nèi)人士對(duì)不斷變化的移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)格局的獨(dú)到觀點(diǎn)。
美光移動(dòng)內(nèi)存營(yíng)銷總監(jiān)Eric Spanneut說,“依靠封裝中使用的34納米4Gb NAND和50納米2Gb LPDDR單片晶片,我們?yōu)榭蛻魩砹薔AND型多芯片封裝領(lǐng)域的解決方案。多功能移動(dòng)設(shè)備已成為行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),在此背景下,我們把業(yè)界的NAND和DRAM工藝結(jié)合起來,利用我們新一代的多芯片封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)集成,從而可以輕松地滿足市場(chǎng)向高密度NAND設(shè)備發(fā)展過程中的需求?!?/P>
除了多芯片封裝產(chǎn)品組合之外,美光還為移動(dòng)市場(chǎng)提供一系列內(nèi)存產(chǎn)品,包括單獨(dú)的NAND和LPDRAM部件、e?MMC 4.4管理型NAND解決方案和NANDcode軟件。美光與包括操作系統(tǒng)以及芯片提供商在內(nèi)的整個(gè)移動(dòng)價(jià)值鏈密切合作,從而取得獨(dú)特的市場(chǎng)地位,可為客戶提供種類豐富的工程支持和解決方案組合,以滿足他們具體的設(shè)計(jì)需求。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹莓派?一文快速了解樹莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52









