LDO簡介

　　LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器，它通常具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR（PowerSupplyRejectionRatio）。

　　LDO低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)如圖（2）主要包括啟動電路、恒流源偏置單元、使能電路、調(diào)整元件、基準源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡和保護電路等�；�本工作原理是這樣的：系統(tǒng)加電，如果使能腳處于高電平時，電路開始啟動，恒流源電路給整個電路提供偏置，基準源電壓快速建立，輸出隨著輸入不斷上升，當輸出即將達到規(guī)定值時，由反饋網(wǎng)絡得到的輸出反饋電壓也接近于基準電壓值，此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準電壓之間的誤差小信號進行放大，再經(jīng)調(diào)整管放大到輸出，從而形成負反饋，保證了輸出電壓穩(wěn)定在規(guī)定值上，同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化，這個閉環(huán)回路將使輸出電壓保持不變，即：Vout=（R1+R2）／R2 ×Vref

　　實際的低壓差線性穩(wěn)壓器還具有如負載短路保護、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護等其它的功能。

　　LDO應用于開關(guān)電源

　　目前大多IC設計產(chǎn)商生產(chǎn)的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）典型封裝都是SOT23-5和SOT23-3，如圣邦微電子的SGM2007，SGM2013。如圖（3）為SGM2007的典型應用電路圖。

　　目前市場上出售的開關(guān)電源中采用雙極性晶體管制成的開關(guān)頻率100kHz，用MOS-FET制成的開關(guān)頻率500kHz電源。開關(guān)電源的突出缺點是產(chǎn)生較強的EMI。EMI信號既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導和輻射會污染電磁環(huán)境，對通信設備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當，開關(guān)電源本身就會變成一個干擾源。當用開關(guān)電源做為LDO的輸入VIN時要注意LDO電源抑制比和功耗。

　　電源抑制比PSRR（Power supply ripple rejectionratio）是反應LDO輸出對輸入紋波抑制能力的一個交流參數(shù)，一般輸出和輸入的頻率是一樣的，PSRR的值越大說明LDO的紋波能力越強，也就是說輸入對輸出的影響很小。盡管LDO的電源抑制比很強，但都是在一定頻率內(nèi)的抑制很強，一般的在50KHz到200kHz的電源抑制比還是很差的如圖（4）為SGM2007的PSRR和頻率曲線，而這段頻率正是大多數(shù)開關(guān)電源的工作頻率，如果LDO的負載和輸入輸出電容匹配不好，很容易引起LDO振蕩。而造成整個LDO供電系統(tǒng)的不穩(wěn)定。

　　目前市場上出售的開關(guān)電源大多數(shù)都是固定電壓輸出的，一般常用都是5V輸出的，而一般的LDO應用多的是3.3V輸出的，在開關(guān)電源的輸出做為LDO的輸入時，就存在一個很大的壓差，為1.7V。如果LDO電流很大的話如200mA，那么芯片的溫度就會很高，功耗很大，長時間工作在高溫的情況下，會影響芯片的工作壽命。

　　低壓差線性穩(wěn)壓器功耗主要是輸入電壓，輸出電壓以及輸出電流的函數(shù)。下列方程式可用來計算惡劣情況下的功耗：

　　PD=（VINMAX-VOUTMIN）ILMAX。其中：PD=惡劣情況下的實際功耗，VINMAX=VIN腳上的電壓，VOUTMIN=穩(wěn)壓器輸出的電壓，ILMAX=（負載）輸出電流。

　　允許功耗（PDMAX）是環(huán)境溫度（*AX），允許結(jié)溫（TJMAX）（+125℃）和結(jié)點到空氣間熱阻（θJA）的函數(shù)。對于安裝在典型雙層FR4電解銅鍍層PCB板上的5引腳SOT-23封裝器件，其（θJA）約為250℃／Watt。

　　PDMAX=（*AX-TJMAX）/θJA

　　VINMAX=3.0V+10％，VOUTMIN=2.7V-2.5％，ILOADMAX=40mA，TJMAX=+125℃，*AX=+55℃

　　實際功耗PD=26.7mW，允許功耗：PDMAX=280mW

　　當開關(guān)電源做為低壓差線性穩(wěn)壓器輸入時，一定要注意開關(guān)電源的紋波，開關(guān)頻率對LDO的影響，及LDO負載電容的匹配，不要超過他的功耗，以影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。