常溫時硅管的Ｉｃｂｏ小于１微安，鍺管的Ｉｃｂｏ約為１０微安，對于鍺管，溫度每升高１２℃，Ｉｃｂｏ數(shù)值增加一倍，而對于硅管溫度每升高８℃，Ｉｃｂｏ數(shù)值增大一倍，雖然硅管的Ｉｃｂｏ隨溫度變化更劇烈，但由于鍺管的Ｉｃｂｏ值本身比硅管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴重的管，放大區(qū)，當晶體三極管發(fā)射結處于正偏而集電結于反偏工作時，Ｉｃ隨Ｉｂ近似作線性變化，放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。

　　飽和區(qū)　當發(fā)射結和集電結均處于正偏狀態(tài)時，Ｉｃ基本上不隨Ｉｂ而變化，失去了放大功能。根據(jù)三極管發(fā)射結和集電結偏置情況，可能判別其工作狀態(tài)。

　　圖２、三極管的輸入特性與輸出特性

　　截止區(qū)和飽和區(qū)是三極管工作在開關狀態(tài)的區(qū)域，三極管和導通時，工作點落在飽和區(qū)，三極管截止時，工作點落在截止區(qū)。

　　三、三極管的主要參數(shù)

　?。?、直流參數(shù)

　?。ǎ保┘姌O一基極反向飽和電流Ｉｃｂｏ，發(fā)射極開路（Ｉｅ＝０）時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Ｖｃｂ時的集電極反向電流，它只與溫度有關，在一定溫度下是個常數(shù)，所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Ｉｃｂｏ很小，小功率鍺管的Ｉｃｂｏ約為１～１０微安，大功率鍺管的Ｉｃｂｏ可達數(shù)毫安，而硅管的Ｉｃｂｏ則非常小，是毫微安級。

　?。ǎ玻┘姌O一發(fā)射極反向電流Ｉｃｅｏ（穿透電流）基極開路（Ｉｂ＝０）時，集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓Ｖｃｅ時的集電極電流。Ｉｃｅｏ大約是Ｉｃｂｏ的β倍即Ｉｃｅｏ＝（１＋β）Ｉｃｂｏ　ｏ?。桑悖猓锖停桑悖澹锸軠囟扔绊憳O大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Ｉｃｅｏ比硅管大。

　?。ǎ常┌l(fā)射極－－－基極反向電流Ｉｅｂｏ　集電極開路時，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時發(fā)射極的電流，它實際上是發(fā)射結的反向飽和電流。

　?。ǎ矗┲绷麟娏鞣糯笙禂?shù)β１（或ｈＥＦ）　這是指共發(fā)射接法，沒有交流信號輸入時，集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值，即：

　　β１＝Ｉｃ／Ｉｂ

　　２、交流參數(shù)

　?。ǎ保┙涣麟娏鞣糯笙禂?shù)β（或ｈｆｅ）　這是指共發(fā)射極接法，集電極輸出電流的變化量△Ｉｃ與基極輸入電流的變化量△Ｉｂ之比，即：

　　β＝　△Ｉｃ／△Ｉｂ

　　一般晶體管的β大約在１０－２００之間，如果β太小，電流放大作用差，如果β太大，電流放大作用雖然大，但性能往往不穩(wěn)定。

　?。ǎ玻┕不鶚O交流放大系數(shù)α（或ｈｆｂ）　這是指共基接法時，集電極輸出電流的變化是△Ｉｃ與發(fā)射極電流的變化量△Ｉｅ之比，即：

　　α＝△Ｉｃ／△Ｉｅ

　　因為△Ｉｃ＜△Ｉｅ，故α＜１。高頻三極管的α＞０．９０就可以使用

　　α與β之間的關系：

　　α＝　β／（１＋β）

　　β＝　α／（１－α）≈１／（１－α）

　　（３）截止頻率ｆβ、ｆα　當β下降到低頻時０．７０７倍的頻率，就是共發(fā)射極的截止頻率ｆβ；當α下降到低頻時的０．７０７倍的頻率，就是共基極的截止頻率ｆαｏ?。姒?、ｆα是表明管子頻率特性的重要參數(shù)，它們之間的關系為：

　?。姒隆郑ǎ保粒姒?/FONT>