?。粒遥停梗玻埃詢群颂峁┝耍常参坏牡刂房偩€，可以訪問４Ｇ（２３２）的線性地址空間，而Ｓ３Ｃ２４１０的內部地址總線是３０ｂｉｔ（ＨＡＤＤＲ［２９：０］），能夠訪問的外部地址空間是２３０，即１Ｇ的地址空間０ｘ００００００００～０ｘ３ＦＦＦＦＦＦＦＦ，可見Ｓ３Ｃ２４１０僅利用了ＡＲＭ９２０Ｔ的３２位地址總線的低３０位，并且是一一對應相連的［１］。由表１可知Ｓ３Ｃ２４１０將１Ｇ的外部地址空間分成了８個存儲器組，每個組的大小為１２８Ｍ，其中６個用于ＲＯＭ、ＳＲＡＭ等存儲器，２個用于ＲＯＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ等存儲器。基于芯片體積及成本的考慮，當Ｓ３Ｃ２４１０對外尋址時，采用了部分譯碼的方式，即低位地址線用于外圍存儲器的片內尋址，而高位地址線用于外圍存儲器的片外尋址。如表１所示，由于每個存儲器組的起始地址及空間大小固定，對于系統要訪問的任意外部地址，Ｓ３Ｃ２４１０可以方便地利用內部地址總線的高３位ＨＡＤＤＲ［２９：２７］來選擇該地址屬于哪一個存儲器組（Ｂａｎｋ），從而激活相應的Ｂａｎｋ選擇信號，并且使用外部地址總線Ａ［２６：０］來實現相應Ｂａｎｋ的內部尋址，尋址范圍為１２８Ｍ（２２７），從而使得其外圍地址訪問空間為１ＧＢ（１２８ＭＢ×８）。Ｓ３Ｃ２４１０正是通過這種機制來完成外部地址空間的尋址全過程。

　　?。樱常茫玻矗保霸L問ＳＤＲＡＭ地址空間的過程比較難理解，這主要和ＳＤＲＡＭ的存儲結構有關。為了更深入地理解其尋址機制，筆者以ＳＤＲＡＭ芯片ＨＹ５７Ｖ５６１６２０Ｂ（３２ＭＢ）為例進行詳細地說明。該芯片的內部存儲結構是４Ｂａｎｋｓ×４Ｍ×１６Ｂｉｔ，即共有４個Ｂａｎｋ，每個Ｂａｎｋ中有４Ｍ個半字（１６Ｂｉｔ）。Ｂａｎｋ地址可以通過ＢＡ［１：０］與地址總線的高位相連來確定，具體ＢＡ［１：０］與哪個地址位相連，不同的ＳＤＲＡＭ存儲系統有不同的方案，詳見參考文獻［３］。而每個Ｂａｎｋ中的存儲單元由行地址和列地址來標識［１］，該芯片通過行地址鎖存引腳ｎＲＡＳ和列地址鎖存引腳ｎＣＡＳ分別與Ｓ３Ｃ２４１０的引腳ｎＳＲＡＳ（ＳＤＲＡＭ行地址選通信號）和ｎＳＣＡＳ（ＳＤＲＡＭ列地址選通信號）連接，從地址總線獲得行地址和列地址。而且列地址的位數可以在ＢＡＮＫＣＯＮｎ（ｎ＝６，７）的中的ＳＣＡＮ——ＢＡＮＫＣＯＮｎ?。郏保海埃輥砼渲茫埃埃剑福猓椋?，０１＝９－ｂｉｔ，１０＝１０－ｂｉｔ，其復位值為００，即８ｂｉｔ。

　　在實際工作中，如圖１所示，在第３個總線時鐘，ｎＳＣＳ為低電平，表示ＳＤＲＡＭ被選中，并且地址線的Ｂａｎｋ地址與相應的行地址同時發(fā)出，這個命令稱之為“行有效”或“行激活”（Ｒｏｗ　Ａｃｔｉｖｅ）。此時ＳＤＲＡＭ將行地址鎖存（ｎＳＲＡＳ有效），但還沒有執(zhí)行寫命令（ｎＷＥ為高電平），因為沒有列地址（ｎＳＣＡＳ為高電平），存儲單元無法確定。經過Ｔｒｃｄ（ＲＡＳ至ＣＡＳ延遲）后，ＳＤＲＡＭ再次被選中（ｎＳＣＳ為低電平），此時ｎＳＣＡＳ為低電平，指示ＳＤＲＡＭ此時地址線上的地址為列地址，同時ｎＷＥ有效，寫操作被執(zhí)行?？梢姲l(fā)送列地址尋址命令與具體的操作命令（是讀還是寫），這兩個命令也是同時發(fā)出的，所以一般都會以“讀／寫命令”來表示列尋址，相關的列地址被選中之后，將會觸發(fā)數據傳輸。至此，Ｓ３Ｃ２４１０對ＳＤＲＡＭ的尋址就完成了?？梢?，Ｓ３Ｃ２４１０將地址總線上的地址分成行地址和列地址并分開傳輸給ＳＤＲＡＭ。基于上述的尋址機制，由ＢＡ［１：０］和１２根地址線就可以尋址３２Ｍ或更大的地址空間了。

　　圖　１?。樱常茫玻矗保啊。樱模遥粒蜁r序圖

　?。病〈鎯ζ骺刂破骱拖嚓P引腳介紹

　?。玻奔拇嫫鹘榻B

　?。樱常茫玻矗保按鎯ζ骺刂破髦饕校嚎偩€帶寬和等待控制寄存器（ＢＷＳＣＯＮ）；總線控制寄存器（ＢＡＮＫＣＯＮＮ：ｎＧＣＳ０－ｎＧＣＳ５）；ＢＡＮＫ控制寄存器（ＢＡＮＫＣＯＮｎ：ｎＧＣＳ６－ｎＧＣＳ７）；刷新控制寄存器（ＲＥＦＲＥＳＨ）；ＢＡＮＫＳＩＺＥ寄存器；ＳＤＲＡＭ模式寄存器集寄存器（ＭＲＳＲ）等，詳情請見參考文獻［３］。

　　２．２相關引腳

　?。樱常茫玻矗保疤峁┝讼嚓P的引腳來控制存儲器訪問：

　　組選擇信號：ｎＧＣＳ０－ｎＧＣＳ５，ｎＧＣＳ６（ｎＳＣＳ０），ｎＧＣＳ７（ｎＳＣＳ１）引腳用來選擇相應的存儲器組。

　　訪問控制信號：為了實現ＡＲＭ存儲器訪問指令ＬＤＲ／ＳＴＲ字節(jié)、半字和字訪問的三種方式，在Ｓ３Ｃ２４１０的存儲器組中，除了Ｂａｎｋ０以外的所有地址空間都可以通過編程設置為８位、１６位或３２位對準訪問，Ｂａｎｋ０可以設置為１６位或３２位。引腳ｎＷＢＥ［３：０］（寫字節(jié)使能）實現８ｂｉｔ?。遥希托酒M的三種訪問方式，或者ＳＲＡＭ不使用ＵＢ／ＬＢ（在ＢＷＳＣＯＮ中設置）的情況下，與ＵＢ／ＬＢ連接。引腳ｎＢＥ［３：０］（在使用ＳＲＡＭ情況下的字節(jié)允許信號）在ＳＲＡＭ使用ＵＢ／ＬＢ（是否使用可在ＢＷＳＣＯＮ中設置）的情況下與ＵＢ／ＬＢ連接。ＤＱＭ［３：０］（ＳＤＲＡＭ數據屏蔽信號）引腳實現對ＳＤＲＡＭ的三種訪問。還有ｎＷＡＩＴ、ｎＸＢＲＥＱ／ｎＸＢＡＣＫ引腳。

　?。场∮布娐吩O計

　　在本嵌入式系統開發(fā)實驗中，Ｓ３Ｃ２４１０擴展的存儲系統采用了英國Ｉｎｔｅｌ公司的１６Ｍ?。牛玻福疲保玻福剩常粒保担啊。危希摇。疲欤幔螅栊酒?，以及Ｈｙｎｉｘ公司的３２Ｍ?。龋伲担罚郑担叮保叮玻埃隆。樱模遥粒托酒５刂房臻g分配如下：Ｆｌａｓｈ為Ｂａｎｋ０中的０ｘ００００００００～０ｘ０７ＦＦＦＦＦＦ地址段，而ＳＤＲＡＭ為Ｂａｎｋ６中的０ｘ３０００００００～０ｘ３７ＦＦＦＦＦＦ地址段，具體的電路連接如圖２。

　　圖?。病。樱常茫玻矗保啊∨cＦｌａｓｈ、ＳＤＲＡＭ的電路連接圖

　?。础〈鎯ο到y初始化

　?。眨拢铮铮羰堑聡模牛危匦〗M的開發(fā)用于多種嵌入式ＣＰＵ的開放源代碼ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ程序，目前版本是１．１．６，本實驗使用的是Ｕ－Ｂｏｏｔ－１．１．４。Ｕ－Ｂｏｏｔ是在ｐｐｃｂｏｏｔ以及ａｒｍｂｏｏｔ的基礎上發(fā)展而來，現已非常成熟和穩(wěn)定，已經在許多嵌入式系統開發(fā)過程中被采用。其支持多種目標操作系統，其中對Ｌｉｎｕｘ的支持完善，是嵌入式Ｌｉｎｕｘ　Ｂｏｏｔｌｏａｄｅｒ的選擇。

　　由于本實驗Ｌｉｎｕｘ要移植的開發(fā)板是基于ｓ３ｃ２４１０的開發(fā)板，在Ｕ－Ｂｏｏｔ中已有移植成功的ｓｍｄｋ２４１０開發(fā)板，故以ｓｍｄｋ２４１０開發(fā)板上運行的Ｕ－Ｂｏｏｔ為模板設計適合本實驗的Ｕ－Ｂｏｏｔ。有關存儲系統的初始化修改如下：

　　（１）Ｆｌａｓｈ驅動程序采用了ｂｏａｒｄ／Ｃｍｉ／Ｆｌａｓｈ．ｃ，由于ｃｍｉ中的ｆｌａｓｈ．ｃ在寫入時要交換字節(jié)，因而刪除了它的ｗｒｉｔｅ＿ｓｈｏｒｔ（）和ｗｒｉｔｅ＿ｂｕｆｆ（）函數，利用ｂｏａｒｄ／ｅｐ７３１２／Ｆｌａｓｈ．ｃ中的ｗｒｉｔｅ＿ｗｏｒｄ（）和ｗｒｉｔｅ＿ｂｕｆｆ（）函數，并且把ｆｌａｓｈ．ｃ中的ＦＬＡＳＨ＿ＢＡＳＥ０＿ＰＲＥＬＩＭ改為ＣＦＧ＿ＦＬＡＳＨ＿ＢＡＳＥ。把ＦＬＡＳＨ＿ＢＬＯＣＫ＿ＳＩＺＥ改為０ｘ２００００，（Ｅ２８Ｆ１２８Ｊ３Ａ?。妫欤幔螅柚袎K的大小是１２８Ｋ）。

　　（２）Ｂｏａｒｄ／?。螅恚洌耄玻矗保埃螅恚洌耄玻矗保埃阒泻瘮担洌颍幔恚撸椋睿椋簦ǎ┒x了ＳＤＲＡＭ的真實地址和實際大小。由于本實驗中，ＳＤＲＡＭ的大小為３２Ｍ，所以修改Ｉｎｃｌｕｄｅ／ｃｏｎｆｉｇｓ／Ｓｍｄｋ２４１０．ｈ中的ＰＨＹＳ＿ＳＤＲＡＭ＿１＿ＳＩＺＥ，改為０ｘ０２００００００。

　?。ǎ常⑷缦麓a替代原來在Ｉｎｃｌｕｄｅ／ｃｏｎｆｉｇｓ／Ｓｍｄｋ２４１０．ｈ的／＊ＦＬＡＳＨ　ａｎｄ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ?。铮颍纾幔睿椋幔簦椋铮睿粰谥械膬热?。

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