賽普拉斯2Mb/8Mb nvSRAM無需電池即可提供儲存功能
出處：wxalex 發(fā)布于：2008-08-15 09:34:16
CY14B102 2Mb nvSRAM與CY14B108 8Mb nvSRAM均符合ROHS環(huán)保規(guī)章，能直接取代SRAM、電池供電SRAM、EPROM與EEPROM等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發(fā)資料儲存功能。在關(guān)閉電源時，系統(tǒng)會自動把SRAM儲存的資料傳送到元件的非揮發(fā)儲存元件。在啟動電源時，再把資料從非揮發(fā)存儲器回存到SRAM。
兩種作業(yè)都在軟件的控制下執(zhí)行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，SONOS)嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，具備更高密度，并能改善存取時間與效能。
新的2Mb與8Mb nvSRAM產(chǎn)品提供一個即時時脈功能，結(jié)合的待機(jī)振蕩器電流與效能的整合式存儲器，可經(jīng)由非揮發(fā)性存儲器支持，為發(fā)生事件加上時間戳記。
相較于電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設(shè)計復(fù)雜度更低，而且比MRAM或鐵電存儲器(FRAM)更經(jīng)濟(jì)。新的nvSRAM也是Cypress所推出一系列nvSRAM中的產(chǎn)品，包括16Kbit、64Kbit、256Kbit、1Mbit與4Mbit的nvSRAM元件，皆已量產(chǎn)供貨。
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