Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET
出處：藍(lán)羽 發(fā)布于：2008-05-30 14:08:13
日前，Vishay推出了旨在滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有此類器件中薄厚度及導(dǎo)通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積，這也是在1.2V額定電壓時提供導(dǎo)通電阻的首款此類器件。該器件的典型應(yīng)用包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)及電池保護(hù)。
Si8441DB提供了1.2V VGS時0.600Ω至4.5V VGS時0.080Ω的導(dǎo)通電阻范圍，且具有±5V的柵源電壓。其在1.2V額定電壓時出色的低導(dǎo)通電阻性能降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計中的空間。
Vishay同時還推出了采用相同MICRO FOOT芯片級封裝的另一新款MOSFET功率器件--20V p通道Si8451DB。Si8451DB的額定柵源電源為8V，其導(dǎo)通電阻范圍介于1.5V時0.200Ω至4.5V時0.80Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實現(xiàn)的值。
隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費(fèi)者對電池充電間隔間的電池運(yùn)行時間的期望，設(shè)計人員需要具有低功耗的更小的MOSFET封裝，這恰恰是Vishay的Si8441DB及Si8451DB所具有的特點。
目前，上述兩款新型MICRO FOOT芯片級封裝功率MOSFET的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://m.58mhw.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 電源管理IC在消費(fèi)電子中的應(yīng)用2026/3/18 10:58:50
- 從故障案例學(xué)習(xí)：電源雷擊浪涌防護(hù)設(shè)計2026/3/11 10:12:04
- 5G基站供電新要求及分布式電源解決方案2026/3/3 14:12:13
- 電源IC使能腳EN的設(shè)計技巧2026/2/28 11:02:23
- 服務(wù)器電源的80PLUS鈦金標(biāo)準(zhǔn)意味著什么？2026/2/27 11:04:01
