雙基極二極管
出處：徐贊 發(fā)布于：2008-04-08 10:40:12
雙基極二極管又稱單結(jié)晶體管，他有兩個(gè)基極和一個(gè)發(fā)射極，如圖(a)所示。兩個(gè)基極分別由Bl和B2表示，發(fā)射極用E表示。圖的(b)為雙基極二極管的圖形符號。
雙基極二極管的參數(shù)中基極間電阻ＲBB是指發(fā)射極開路狀態(tài)下，兩個(gè)基極的電阻。而分壓比是指發(fā)射極E到基極由之間電壓和基極B2到Bl之間的電壓之比。以上兩個(gè)參數(shù)是雙基極二極管的主要參數(shù)。谷點(diǎn)電壓Ｕv是表示雙基極二極管由負(fù)阻區(qū)進(jìn)人飽和區(qū)的分界點(diǎn)時(shí)，與其對應(yīng)的發(fā)射區(qū)電壓。即雙基極二極管赴于導(dǎo)通狀態(tài)的電壓值，如發(fā)射極電壓ＵE低于谷點(diǎn)電壓Ｕv，雙基極二極管就進(jìn)大了截止?fàn)顟B(tài)。
圖:雙基極二極管結(jié)構(gòu)與圖形符號
(a)結(jié)構(gòu);(b)圖形符號
雙基極二極管主要用于震蕩電路、脈沖電路以及定時(shí)電路等。如晶閘管觸發(fā)器、時(shí)間繼電器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器等。
雙基極二極管的參數(shù)中基極間電阻ＲBB是指發(fā)射極開路狀態(tài)下，兩個(gè)基極的電阻。而分壓比是指發(fā)射極E到基極由之間電壓和基極B2到Bl之間的電壓之比。以上兩個(gè)參數(shù)是雙基極二極管的主要參數(shù)。谷點(diǎn)電壓Ｕv是表示雙基極二極管由負(fù)阻區(qū)進(jìn)人飽和區(qū)的分界點(diǎn)時(shí)，與其對應(yīng)的發(fā)射區(qū)電壓。即雙基極二極管赴于導(dǎo)通狀態(tài)的電壓值，如發(fā)射極電壓ＵE低于谷點(diǎn)電壓Ｕv，雙基極二極管就進(jìn)大了截止?fàn)顟B(tài)。
圖:雙基極二極管結(jié)構(gòu)與圖形符號
(a)結(jié)構(gòu);(b)圖形符號
雙基極二極管主要用于震蕩電路、脈沖電路以及定時(shí)電路等。如晶閘管觸發(fā)器、時(shí)間繼電器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器等。
關(guān)鍵詞：雙基極二極管
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://m.58mhw.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)技術(shù)資料
- MOSFET短路失效案例分析2026/3/25 14:36:39
- 防水連接器結(jié)構(gòu)與密封原理2026/3/25 14:04:17
- MOSFET壽命評估與可靠性設(shè)計(jì)2026/3/24 14:53:40
- 高效LLC諧振變換器設(shè)計(jì)與優(yōu)化全解析2026/3/24 13:54:19
- 高速連接器選型常見問題2026/3/24 11:51:56
技術(shù)分類
廣告
熱門技術(shù)資料
