硅光電池的結構及工作原理
出處：dengm 發(fā)布于：2008-04-23 14:24:37
硅光電池是一種能將光能直接轉換成電能的半導體器件，其結構如圖所示。它實質上是一個大面積的半導體PN結。硅光電池的基體材料為一薄片P型單晶硅，其厚度在0.44mm以柵狀電極下，在它的表面上利用熱擴散法生成一層N型受光層，基體和受光層的交接處形成PN結。在N型受光層上制作有柵狀負電極，另外在受光面上還均勻覆蓋有抗反射膜，它是一層很薄的天藍色一氧化硅膜，可以使電池對有效人射光的吸收率達到90%以上，并使硅光電池的短路電流增加25%-30%。
圖:硅光電池結構示意圖
以硅材料為基體的硅光電池，可以使用單晶硅、多晶硅、非晶硅來制造。單晶硅光電池是目前應用廣的一種，它有2CR和2DR兩種類型，其中2CR型硅光電池采用N型單晶硅制造，2DR型硅光電池剛采用P型單晶硅制造。
硅光電池的工作原理是光生伏特效應。當光照射在硅光電池的PN結區(qū)時，會在半導體中激發(fā)出光生電子一空穴對。PN結兩邊的光生電子一空穴對，在內電場的作用下，屬于多數(shù)載流子的不能穿越阻擋層，而少數(shù)載流子卻能穿越阻擋層。結果，P區(qū)的光生電子進入N區(qū)，N區(qū)的光生空穴進入p區(qū)，使每個區(qū)中的光生電子一空穴對分割開來。光生電子在N區(qū)的集結使N區(qū)帶負電，光生電子在p區(qū)的集結使P區(qū)帶正電。P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生光生電動勢。當硅光電池接人負載后，光電流從P區(qū)經(jīng)負載流至NE，負載中即得到功率輸出。
圖:硅光電池結構示意圖
以硅材料為基體的硅光電池，可以使用單晶硅、多晶硅、非晶硅來制造。單晶硅光電池是目前應用廣的一種，它有2CR和2DR兩種類型，其中2CR型硅光電池采用N型單晶硅制造，2DR型硅光電池剛采用P型單晶硅制造。
硅光電池的工作原理是光生伏特效應。當光照射在硅光電池的PN結區(qū)時，會在半導體中激發(fā)出光生電子一空穴對。PN結兩邊的光生電子一空穴對，在內電場的作用下，屬于多數(shù)載流子的不能穿越阻擋層，而少數(shù)載流子卻能穿越阻擋層。結果，P區(qū)的光生電子進入N區(qū)，N區(qū)的光生空穴進入p區(qū)，使每個區(qū)中的光生電子一空穴對分割開來。光生電子在N區(qū)的集結使N區(qū)帶負電，光生電子在p區(qū)的集結使P區(qū)帶正電。P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生光生電動勢。當硅光電池接人負載后，光電流從P區(qū)經(jīng)負載流至NE，負載中即得到功率輸出。
關鍵詞：硅光電池的結構及工作原理
上一篇：晶閘管的封裝形式
下一篇：3CT系列中小電流晶閘管
版權與免責聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://m.58mhw.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關法律責任。
本網(wǎng)轉載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負版權等法律責任。
如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
相關技術資料
- 電表互感器匝數(shù)倍率怎么看?2025/9/5 17:05:11
- 顏色傳感器原理及實際應用案例2025/9/5 16:09:23
- 調諧器和調制器的區(qū)別2025/9/4 17:25:45
- 有載變壓器和無載變壓器的區(qū)別有哪些2025/9/4 17:13:35
- 什么是晶體諧振器?晶體諧振器的作用2025/9/4 16:57:42
技術分類
廣告
熱門技術資料
