NEC電子推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品
出處：幼兒園大班 發(fā)布于：2008-02-01 10:40:38
近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓(-40V和-60V)及可由邏輯門驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。在DPAK封裝系列中，低漏極電流器件(ID(DC)<50A)中的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封裝系列中，額定漏極電流為-100A的器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))則降至3.7mOhm。
能實(shí)現(xiàn)P-溝道功率MOSFETs超低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))值主要是因?yàn)椴捎昧薝MOS-4工藝。該工藝采用0.25um的設(shè)計(jì)規(guī)則，將單元密度提高到了160Mcells/inch2,同時(shí)降低了單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。和NP系列的其他產(chǎn)品一樣，新產(chǎn)品按照AEC-Q101流程制造，額定溫度為175℃，純錫電鍍管腳完全符合RoHS要求。雪崩能量從19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG)，因芯片不同而有所差異。
這一系列低導(dǎo)通電阻器件符合P-溝道器件在汽車電子應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的需求。在電池反接保護(hù)、H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中，P-溝道功率MOSFETs與N-溝道器件相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
NP系列是NEC電子低電壓開關(guān)器件家族中的一員，NEC電子的低電壓開關(guān)器件為電源、汽車系統(tǒng)、電機(jī)控制和辦公室、機(jī)器人和不間斷電源提供高效率的電源管理。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，http://m.58mhw.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對(duì)比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號(hào)調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
