閂鎖效應(yīng)（Latch-Up Effect）。在N阱與P阱接觸的地方存在著發(fā)生閂鎖效應(yīng)的危險(xiǎn)。如圖1中所示，存在于MOS晶體管結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)寄生雙極晶體管各自的基極分別與對(duì)方的集電極相連，形成了四層的晶閘管的結(jié)構(gòu)。當(dāng)其中一個(gè)晶體管的基－射結(jié)電壓超過約0.6V時(shí)，晶問管將開啟，從而導(dǎo)致yDD與yss短路，電路將失去功能。器件甚至可能被大電流所產(chǎn)生的熱量所損壞。由于外延層摻雜濃度的減小，PNP晶體管基區(qū)Gummel值變小，相應(yīng)的提高了PNP晶體管的電流增益。同時(shí)NPN晶體管的集電極的串聯(lián)電阻Rev也會(huì)隨著外延雜質(zhì)濃度的降低而增加，這兩個(gè)方面的變化都會(huì)使得CMOS電路對(duì)閂鎖效應(yīng)的免疫力下降。

　　圖1 寄生雙極型晶體管閂鎖效應(yīng)的影響

　　因此我們需要在版圖設(shè)計(jì)中采取特殊措施，以防止閂鎖效應(yīng)的發(fā)生。這些措施有：別位于兩個(gè)相接觸但不同類型阱中的N+與P+注入?yún)^(qū)間的距離應(yīng)該足夠大，以降低寄生晶體管的電流增益；②在N阱中寄生PNP晶體管的P＋發(fā)射極周圍加上N+保護(hù)環(huán)，或者在P阱中寄生NPN晶體管N+發(fā)射極的四周加上P+保護(hù)環(huán)，都可以將寄生晶閘管的開啟電流提高［3.52］；③在阱周圍加保護(hù)環(huán)以破壞四層晶閘管的結(jié)構(gòu)。

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