集成DPS系統(tǒng)中，功率器件若用引線鍵合，不適合三維封裝，不利于減小結(jié)構(gòu)封裝電感和散熱。因此，應(yīng)采用嵌入功率器件的平面金屬化技術(shù)和無引線鍵合，采用三維多層集成封裝技術(shù)，三明治結(jié)構(gòu)。

　　圖給出了AHB轉(zhuǎn)換器的有源集成模塊，是多層集成封裝的分層示意圖，自上而下分別為散熱片（兼使模塊具有機(jī)械穩(wěn)定性）、由銅層、陶瓷和腐蝕銅層組成的直接敷銅DBC（Direct Bonded Copper）基片、陶瓷板上嵌人功率半導(dǎo)體器件、上面有一個多層樹脂將器件固定，面貼裝金屬層將器件連接9驅(qū)動、保護(hù)及控制芯片、數(shù)字信號處理器等安放在頊部的高密度薄膜混合基片上。

　　1一基片；2—陶瓷板；3—功率半導(dǎo)體器件；4—控制界雨；5一數(shù)字信號處理器；

　　6一驅(qū)動、保護(hù)與控制；7一金屬層；8—多層樹脂；9—銅層；10一散熱片

　　圖 多層集成封裝的有源集成模塊分層示意圖

　　有源集成模塊的參數(shù)為封裝寄生電感3nH，共模電容20pF，輸出電壓紋波（P-P）10mV?？梢姺庋b寄生電感和輸出電壓紋波都很小。