開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體器件
出處:tqzzj1 發(fā)布于:2008-10-06 13:50:14
進(jìn)入21世紀(jì),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展,這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作,沿著下述方向,開(kāi)發(fā)與開(kāi)關(guān)電源相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù)。
碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬,工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 電源IC過(guò)熱損壞原因分析2026/3/19 11:50:21
- 電源管理IC在消費(fèi)電子中的應(yīng)用2026/3/18 10:58:50
- 從故障案例學(xué)習(xí):電源雷擊浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)2026/3/11 10:12:04
- 5G基站供電新要求及分布式電源解決方案2026/3/3 14:12:13
- 電源IC使能腳EN的設(shè)計(jì)技巧2026/2/28 11:02:23
- PCB防靜電(ESD)設(shè)計(jì)核心規(guī)范
- 通信系統(tǒng)基石:信道化濾波器組原理與多速率信號(hào)處理
- 接觸不良對(duì)連接器性能的影響
- 開(kāi)關(guān)電源PCB設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題
- 多顆MOSFET并聯(lián)的散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- PCB多層板疊層設(shè)計(jì)核心規(guī)范
- 常見(jiàn)IC芯片分類及功能介紹
- 應(yīng)對(duì)信號(hào)采集難題:抗混疊濾波器的選型與設(shè)計(jì)關(guān)鍵
- 高速連接器在通信設(shè)備中的應(yīng)用
- 電源IC過(guò)熱損壞原因分析









