意法半導體（ST）宣布公司采用70nm 制造工藝的NAND閃存產品全線上市。512Mb (小頁)和1/2/4/8Gb (大頁)閃存升級到ST的先進的70nm制造工藝，使該系列產品進入NAND閃存技術的行列，升級后的產品價格低廉，功耗更小。

　　高密度的存儲器芯片為各種計算機和消費電子應用產品提供海量數(shù)據(jù)存儲功能，例如，數(shù)碼相機、PDA、GPS導航系統(tǒng)、閃存卡和U盤、打印機、機頂盒（STB）、數(shù)字電視機、汽車多媒體系統(tǒng)和多媒體手機。

　　該系列全部產品都具有速度極快的數(shù)據(jù)傳輸和擦除功能。該系列產品的尋址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出通過一條8位或16位總線傳輸信號，這種多路復用技術不僅可以減少封裝引腳的數(shù)量，還允許系統(tǒng)使用一個模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積即可使系統(tǒng)自動適應高密度或低密度閃存。

　　ST還為新的存儲器芯片提供一套軟件工具，幫助用戶快速開發(fā)使用新閃存芯片的應用產品，同時還能延長產品的使用壽命。工具包括糾錯代碼（ECC）軟件；識別失敗的擦寫操作并將無效存儲塊上的數(shù)據(jù)復制到有效區(qū)塊的壞塊管理（BBM）；通過在所有的存儲塊中分配擦寫操作減緩芯片老化的平均讀寫算法；文件系統(tǒng)OS本機參考軟件；硬件仿真模型。

　　存儲器由按頁讀寫的存儲塊組成。每個存儲頁都預留一個備用空間，通常用于糾錯代碼、軟件標記或壞塊識別。數(shù)據(jù)復制程序模式可以把存在某一頁的數(shù)據(jù)直接寫到另一頁中，無需任何額外的緩存空間。新產品還提供一個擦除時間僅2ms的存儲塊擦除指令。每個存儲塊額定擦寫循環(huán)100 000 次，數(shù)據(jù)保存期限10年。

　　新產品具有“無須介意芯片啟動”（Chip Enable Don’t Care）功能，這個功能可以簡化微控制器的接口設計，以及NAND閃存與其它類型存儲器（NOR閃存和xRAM）的整合方法。在代碼和工作內存采用速度更快的存儲器，而大容量文件存儲采用成本更加低廉、密度更高的NAND閃存的應用中，不同類型的存儲器芯片整合在一個封裝內是常用的解決方案。