飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV的ESD (HBM)電壓保護(hù)，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機(jī))的架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下，系統(tǒng)依然安全。 
    
　　FDS881XNZ系列為設(shè)計(jì)工程師提供了多種選項(xiàng)，讓他們可根據(jù)其電池應(yīng)用的功率管理和負(fù)載開關(guān)要求進(jìn)行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm)針對高端筆記本電腦應(yīng)用，協(xié)助設(shè)計(jì)工程師解決將高端功能整合到筆記本電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm)非常適合于15”以上顯示器的一體化筆記本電腦，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm)則是通用于中低端產(chǎn)品和子筆記本電腦的理想產(chǎn)品。 
    
　　FDS881XNZ系列的主要優(yōu)點(diǎn)包括： 
　　低導(dǎo)通阻抗RDS(ON)解決方案，能提高工作效率，從而延長電池使用壽命。 
    
　　集成式ESD保護(hù)二極管(HBM)提供8kV ESD保護(hù)功能。 
    
　　堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，可耐受電壓尖峰的沖擊，避免輸出端出現(xiàn)突變電壓。 
    
　　FDS881XNZ系列N溝道MOSFET系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝，是飛兆半導(dǎo)體廣泛的電池用MOSFET產(chǎn)品系列的又一重要成員。要了解飛兆半導(dǎo)體N溝道和P溝道MOSFET系列的更多信息。 
    
　　FDS881x系列采用無鉛(Pb-free)引腳，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)J-STD-020對無鉛回流焊的要求，所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)均符合歐盟的有害物質(zhì)限用指令(RoHs)。