聯(lián)電65nm芯片工藝采用SOI技術(shù)
出處:小羅納耳朵 發(fā)布于:2007-09-21 16:48:22
絕緣體上硅(SOI)是指在一絕緣襯底上再形成一層單晶硅薄膜,或者是單晶硅薄膜被一絕緣層(通常是SiO2)從支撐的硅襯底中分開這樣結(jié)構(gòu)的材料、這種材料結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)制造器件的薄膜材料完全與襯底材料的隔離。SOI技術(shù)可以改善芯片性能,降低漏電,以及減少芯片功耗。隨著微處理器(CPU)、圖形芯片(GPU)制程對絕緣層上覆硅技術(shù)(SOI)需求愈來愈強,SOI已成各大芯片代工角逐客戶青睞的武器。
聯(lián)電表示,借助SOI技術(shù),旗下65nm工藝晶圓更加緊湊,芯片切割率可以比無SOI技術(shù)的65nm晶圓提升25%,同時聯(lián)電65nmSOI技術(shù)的芯片功耗可以降低30%,聯(lián)電65nmSOI技術(shù)的芯片工作頻率可以提升28%,聯(lián)電65nmSOI技術(shù)的芯片的生產(chǎn)成本可以降低10%。
聯(lián)電目前也是除TMSC臺積電之外,第2大芯片代工廠商。
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