通常，大電容有寬泛的初始容差，及寬的溫漂，但基于MCU的應(yīng)用就可利用Microchip的10F204(SOT-23封裝)的優(yōu)勢和一個小NPO電容(幾乎沒有溫漂)及一個1%的電阻來設(shè)定延時。而采用專用單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器方案，則需要一個昂貴、大個頭的電容，增加了成本和體積。

基于MCU的實現(xiàn)，在編程10F204時，采用一個由小RC元件決定的可計算延時的延時轉(zhuǎn)換器，并生成一個長度成比例的輸出脈沖。在圖1中所示電路的外接RC值取決于需要多少基本的5?s時基以觸發(fā)10F204的片上比較器，該比較器的參考端由芯片內(nèi)部設(shè)定為0.6V。順序處理流程使外接電容保持在放電狀態(tài)并使輸入浮動以監(jiān)測比較器的輸出以確定將電壓充至參考電位以上時所需的時間。在上電、每當(dāng)MCU被重新使能以及每次觸發(fā)的個1?s定時步驟中，都對這些外接元件的值進(jìn)行估算。

其余的程序在一個分支均等的1ms循環(huán)中，提供使能、再觸發(fā)、乘法器以及循環(huán)索引等功能。

等式1用于計算產(chǎn)生在等式2和等式3中描述的期望延時值時所需的R和C值。

循環(huán)數(shù)=ABS(INT(R*C*(ln(1-V_TRIP/V_CHARGING))/5s)) (等式1)

其中，VTRIP是比較器參考電壓；VCHARGING是用于對外接電容充電的電壓源，它應(yīng)是一個大于VTRIP的穩(wěn)定值。在此例中，VCHARGING與為10F204供電的穩(wěn)壓源相同。

需要幾個運(yùn)算參數(shù)以定義該基于程序的應(yīng)用。它們包括：

1．選擇是低到高還是高到低的電壓變化沿進(jìn)行觸發(fā)：

* 0將TMR0時鐘輸入沿設(shè)置為低到高觸發(fā)

* 1將TMR0時鐘輸入沿設(shè)置為高到低觸發(fā)

2．選擇是單觸發(fā)還是重觸發(fā)模式

* 0 設(shè)置為單觸發(fā)模式(在激活時觸發(fā)，忽略輸出)

* 1設(shè)置為重觸發(fā)模式(任何觸發(fā)都使延時重新初始化)

3．確定用在延時補(bǔ)償中的8位循環(huán)乘法器(見下)。

4．對內(nèi)部狀態(tài)標(biāo)志——capsen進(jìn)行設(shè)置，以確定如何應(yīng)用基于檢測到元件值的循環(huán)數(shù)。

* capsen= 0，直接使用計算出的循環(huán)數(shù)值，該值被限制在0到127之間

* capsen= 1，用256減去該計算值，結(jié)果在255到128之間

根據(jù)這些選項，當(dāng)capsen= 1時，能產(chǎn)生長的延時。結(jié)果如下：

當(dāng)capsen= 1時：延時=(255-循環(huán)數(shù))*乘法器*1 ms (等式2)

當(dāng)capsen= 0時：延時=循環(huán)數(shù)*乘法器*1 ms (等式3)

圖2顯示了用式1得到的用于循環(huán)值的延時。當(dāng)設(shè)capsen=1時，能得到更長的延時；若使capsen=0，則延時變短。電阻R的值為10 k Ω，在我們的分析中，該值設(shè)為1 k Ω。

對一個具體的乘法器，延時的范圍由外接元件限定。同時改變R和C將顯著改變延時范圍。觸發(fā)脈沖寬度短為2 ?s，而觸發(fā)到有效輸出的延時時間短為2 s、長為12 s。

系統(tǒng)(與RC元件的變化無關(guān))由內(nèi)部指令周期的容差主宰。在一個窄的電壓和溫度范圍內(nèi)，該值定義為61%。管腳1輸出低電壓(用于給電容器放電)、內(nèi)部比較器以及0.6V參考也會影響初始。延時隨時間和溫度的變化取決于所有元件的變異。乘法器的值是一個由程序設(shè)置的常量，所以沒有變化。