用作超快速離子偏轉(zhuǎn)板驅(qū)動(dòng)器的MOSFET
出處:加速度 發(fā)布于:2007-06-02 22:38:25
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一個(gè)緩沖網(wǎng)絡(luò)端接偏轉(zhuǎn)板上負(fù)載,該網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)采用TO220封裝的大功率薄膜電阻器R3和優(yōu)質(zhì)NPO型電容器C1與C2組成??稍诓捎靡粋€(gè)無(wú)源射頻探頭的射頻頻譜分析儀上觀察輻射場(chǎng),憑經(jīng)驗(yàn)確定緩沖參數(shù)值。并可"調(diào)諧"緩沖網(wǎng)絡(luò)來(lái)減少高次諧波。要注意的是,把示波器探頭放在輸出端上會(huì)大大增加高次諧波,從而表明給該電路增加探頭會(huì)加大波動(dòng)和過(guò)沖。DEIC420采用使引腳電感的高速大功率封裝。它的每個(gè)電源引腳需要連接多只旁路電容器。這些旁路電容應(yīng)選擇得使其自諧振頻率沒(méi)有大的重疊。采用全接地平面、高速工藝和射頻信號(hào)布局技術(shù),對(duì)于這一電路的正常工作是至關(guān)重要的。輸入必須與輸出有良好隔離。如果不嚴(yán)格遵照上述習(xí)慣做法去做,就可能會(huì)發(fā)生雙脈沖、波動(dòng)甚至振蕩。驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載之間的印制線或線纜應(yīng)是阻抗受控制的,而且盡可能短些。DEIC420在高速和大電壓下使用時(shí)需要有良好的散熱能力。當(dāng)電源電壓為25V、工作頻率為20MHz時(shí),驅(qū)動(dòng)器和緩沖網(wǎng)絡(luò)兩者的總功耗為130W。

圖1 用高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器IC來(lái)驅(qū)動(dòng)離子偏轉(zhuǎn)板的電路。
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